[发明专利]一种钹型压电单晶驱动器在审
申请号: | 202011567971.6 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112769349A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 王三红;徐卓 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H02N2/00 | 分类号: | H02N2/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 贺小停 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压电 驱动器 | ||
本发明提供的一种钹型压电单晶驱动器,包括金属端帽和压电单晶堆,金属端帽设置有两个,分别设置在压电单晶堆的上下表面;所述压电单晶堆包括多个单晶片,多个单晶片采用结构上串联、电路上并联的方式相互贴合堆叠;所述单晶片为长方体结构,所述长方体结构的厚度方向为011方向、长度方向为100方向、宽度方向选取0‑11方向;本发明该三维定向下的单晶片,其横向压电系数为2000pC/N以上,纵向压电系数为1200pC/N以上,使得其在驱动电压相同情况下,具有层数少,输出形变大、工作频率高等特点;同时,在压电单晶堆的上下表面增加的金属端帽,能够同时利用横向压电系数和纵向压电系数,使得输出形变进一步放大。
技术领域
本发明属于精密驱动元件技术领域,具体涉及一种钹型压电单晶驱动器。
背景技术
压电驱动器是材料的压电性能,在一定的电压驱动下,输出相应的位移,一般使用材料为压电陶瓷材料。钹型压电驱动器是一种较为常见的驱动器形式,一般使用压电陶瓷作为驱动元件,常用的压电陶瓷的纵向压电系数d33约为750pC/N,横向压电系数d31约为240pC/N。由于压电陶瓷材料的压电系数较小,限制了驱动器的位移输出,而目前为了获取足够的位移输出,通常采用增加驱动电压或者增大器件尺寸的方法获得,而这一做法限制了该类驱动器的使用范围。
发明内容
本发明的目的在于提供一种钹型压电单晶驱动器,解决了现有的该类驱动器存在位移输出不够、或驱动电压、器件尺寸较大的缺陷。
为了达到上述目的,本发明采用的技术方案是:
本发明提供的一种钹型压电单晶驱动器,包括金属端帽和压电单晶堆,金属端帽设置有两个,分别设置在压电单晶堆的上下表面;所述压电单晶堆包括多个单晶片,多个单晶片采用结构上串联、电路上并联的方式相互贴合堆叠;所述单晶片为长方体结构,所述长方体结构的厚度方向为011方向、长度方向为100方向、宽度方向选取0-11方向。
优选地,所述金属端帽和压电单晶堆之间粘接连接。
优选地,所述两个相邻的单晶片之间通过环氧树脂之间连接。
优选地,所述单晶片为PIMNT压电单晶材料。
优选地,包括金属端帽和压电单晶堆,金属端帽设置有两个,分别设置在压电单晶堆的上下表面;所述压电单晶堆包括多个单晶片,多个单晶片采用结构上串联、电路上并联的方式相互贴合堆叠;所述单晶片为长方体结构,所述长方体结构的厚度方向为011方向、长度方向为100方向、宽度方向选取0-11方向;
所述金属端帽和压电单晶堆之间粘接连接;
所述两个相邻的单晶片之间通过环氧树脂连接。
优选地,包括金属端帽和压电单晶堆,金属端帽设置有两个,分别设置在压电单晶堆的上下表面;所述压电单晶堆包括多个单晶片,多个单晶片采用结构上串联、电路上并联的方式相互贴合堆叠;所述单晶片为长方体结构,所述长方体结构的厚度方向为011方向、长度方向为100方向、宽度方向选取0-11方向;
所述金属端帽和压电单晶堆之间粘接连接;
所述两个相邻的单晶片之间通过环氧树脂之间连接;所述单晶片为PIMNT压电单晶材料。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
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