[发明专利]太阳电池及生产方法、光伏组件

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：

硅基底、第一氮化钛层以及第二氮化钛层；

所述第一氮化钛层具有空穴选择性，所述第二氮化钛层具有电子选择性；

所述第一氮化钛层和所述第二氮化钛层分别位于所述硅基底的向光面和背光面；

或，

所述第一氮化钛层和所述第二氮化钛层分别位于所述硅基底的背光面的第一区域和第二区域。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一氮化钛层的功函数为4.7-5.5电子伏特，所述第二氮化钛层的功函数为4.0-4.6电子伏特。

3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一氮化钛层中氮原子的数量与钛原子的数量的比值大于1.5，所述第二氮化钛层中氮原子的数量与钛原子的数量的比值在0.7-0.9的范围内。

4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一氮化钛层和所述第二氮化钛层的厚度均为1-500纳米。

5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，

所述第二氮化钛层包括氮化钛，以及掺杂在所述氮化钛中的掺杂元素，所述掺杂元素包括：砷、铝、磷和锌中的任意一种或多种。

6.根据权利要求1中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：

第一电极和第二电极；

所述第一电极设置于所述第一氮化钛层远离所述硅基底的一面，所述第二电极设置于所述第二氮化钛层远离所述硅基底的一面；

其中，所述第一电极和所述第二电极均选自：铝电极、银电极、铝/银复合电极、镍/铜/锡复合电极、铬/钯/银复合电极和镍/铜/银复合电极中的任意一种。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述硅基底和所述第一氮化钛层之间设置有第一钝化隧穿层；

和/或，所述硅基底和所述第二氮化钛层之间设置有第二钝化隧穿层。

8.根据权利要求7中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述第一钝化隧穿层和所述第二钝化隧穿层的厚度均为0.1-5纳米；

所述第一钝化隧穿层和所述第二钝化隧穿层的材料均包括：本征非晶硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氢化非晶硅、碳化硅中的任意一种或多种。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳电池，其特征在于，在所述第一氮化钛层和所述第二氮化钛层分别位于所述硅基底的背光面的第一区域和第二区域的情况下，所述第一氮化钛层和所述第二氮化钛层之间电学绝缘。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述第一氮化钛层的厚度为2-20纳米；

所述第二氮化钛层的厚度为1-15纳米。

11.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：接触区金属层；

所述接触区金属层设置在所述第一氮化钛层远离所述硅基底的一面；

其中，所述第一氮化钛层设置在所述硅基底的向光面，所述第一氮化钛层的厚度小于5纳米。

12.一种太阳电池的生产方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅基底的向光面和背光面分别制备第一氮化钛层和第二氮化钛层；或，在所述硅基底的背光面的第一区域和第二区域分别制备所述第一氮化钛层和第二氮化钛层；

所述第一氮化钛层具有空穴选择性，所述第二氮化钛层具有电子选择性。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述制备第一氮化钛层的步骤，包括：

采用钛的氯化物前体作为钛源，采用氨气作为氮源，在300-500摄氏度的温度范围内进行热原子沉积，生成所述第一氮化钛层。