[发明专利]一种铱金属配合物和使用该化合物的有机光电元件

权利要求书

1.一种铱金属配合物，其特征在于，所述的铱金属配合物其结构式如式(I)所示

其中,X选自NR1、O、S、CR1R2、SiR1R2、O＝P-R1或B-R1；Y选自N或C-R1；R1至R8独立选自氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种；(L^Z)为辅助配体，为二齿配体，其与上述结构式左侧的主配体相同或不同；所有基团可以被部分氘代或全氘代；m取自1、2或3，m+n＝3；杂芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一个杂原子。

2.根据权利要求1所述的铱金属配合物，其特征在于，所述的铱金属配合物式(I)中(L^Z)选自以下代表结构式的一种：

其中，Y1独立选自O或N，R1至R3独立地选自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基、C1～C40的杂芳基；A和B成环或未成环地选自C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的杂芳基，A和B可以根据价键原则进行单取代或多取代。

3.根据权利要求1至2任一项所述的铱金属配合物，其特征在于，所述的铱金属配合物结构式(I)选自下列代表性的结构：

其中X，Y，R1至R8，A和B与权利要求1和权利要求2所述相同。

4.根据权利要求1至3任一一项所述的铱金属配合物，其特征在于，所述的铱金属配合物结构式(I)中(L^Z)选自以下代表结构式的一种：

其中X选自NR1、O、S、CR1R2、SiR1R2、O＝P-R1或B-R1；R1至R3独立地选自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基、C1～C40的杂芳基，可以被部分氘代或全氘代。

5.根据权利要求1至4任一一项所述的铱金属配合物，其特征在于，所述的铱金属配合物结构式(I)选自下列代表性的结构：

6.一种制剂，其特征在于，包含权利要求1-5任一项所述的铱金属配合物和至少一种溶剂。

7.一种有机光电器件，其特征在于，包括：

第一电极；

第二电极，与所述第一电极相面对；

有机功能层，夹设于所述第一电极和所述第二电极之间；

其中，有机功能层包含权利要求1至5任一项所述的铱金属配合物。

8.一种有机光电元件，包括阴极层、阳极层和有机层，该有机层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层或活性层、电子注入层、电子传输层中至少一层，其特征在于：该器件的任一层中含有权利要求1至5所述的铱金属配合物。

9.根据权利要求7所述的有机光电元件为有机电致发光器件，其特征在于，发光层中含有所述铱金属配合物和相应的主体材料，其中所述铱金属配合物的质量百分数在1％至50％，主体材料没有任何限制。