[发明专利]一种高电子迁移率晶体管源漏电极的制备方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管源漏电极的制备方法，其特征在于，采用角向蒸发自对准工艺，具体步骤如下：

(1)以高电子迁移率晶体管制备中T型栅极制备为基础，首先制备精确的栅头、栅脚宽度和高度，已知栅极的栅槽腐蚀深度；

(2)在基片上旋涂一层LOR作为保护和牺牲层，并烘烤使其固化；

(3)再 继续在上述基片 上旋涂光学光刻胶，并烘烤使其固化；

(4)然后利用接触式光学光刻机进行套刻曝光；

(5)取出样品用TMAH或碱性显影液进行显影，然后用去离子水漂洗，获得源极、漏极与栅极的全部区域；

(6)先以光刻胶为掩膜，使用公式(1)计算出合适的蒸镀角度θ，然后按照蒸镀角度进行源极与漏极金属沉积；剥离去掉光刻胶，得到源极与漏极电极；

其中，h_foot,h_head和h_cap分别代表是T型栅栅脚的高度、T型栅栅头的高度和对器件高掺杂的栅槽腐蚀深度；W_half-head代表T型栅的栅头宽度与栅脚宽度差值的二分之一；L_gs代表栅极与源极的距离，L_gd代表栅极与漏极的距离；所述蒸镀角度θ，以T型栅长边为中心轴，器件从源极指向漏极方向蒸发源到基片的方向的夹角；

步骤(1)中所述的T型栅各项参数需满足：栅脚高度120-200nm栅头宽度400-600nm,栅脚宽度根据器件工艺要求，栅脚的宽度在30-120nm之间；栅槽腐蚀深度为10-30nm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述LOR的厚度为400-500nm，烘烤温度为170-190℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述光学光刻胶采用光学AZ5214光刻胶，厚度为1400-1600nm；烘烤使用热板，烘烤温度为95-110℃，烘烤时间为90-120s。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述光学刻机光刻的光源选用365nm的紫外光源，曝光功率为5-7mW/cm²。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述显影使用的显影液为0.26wt％四甲基氢氧化铵溶液，显影温度为22.8-23.2℃，显影时间为35-60s；在去离子水中漂洗30s，使用氮气枪吹干。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中源漏电极沉积金属总厚度不超过T型栅栅脚高度的二分之一。