[发明专利]一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用

说明书

本发明提供一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用。该双氧化组分铝蚀刻液包括第一氧化组分和第二氧化组分，其中，第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1～2:3～5；第一氧化组分各组分及各组分含量为硝酸10～30wt％、醋酸盐缓冲溶液10～20wt％以及去离子水；第二氧化组分各组分以及各组分含量为双氧水10～30wt％、醋酸盐缓冲溶液10～20wt％、磷酸20～50wt％、阳离子表面活性剂10～20wt％以及去离子水。本申请提供的一种双氧化组分铝蚀刻液，能够快速蚀刻铝基金属，蚀刻速率约为并且添加的醋酸盐缓冲溶液能够控制蚀刻角度，蚀刻角度可控制在20～50°，可广泛的用于铝基半导体装置中。同时所述双氧化组分铝蚀刻液的制备方法简单易行、绿色环保是一种安全经济的制备工艺。

技术领域

本申请涉及一种双氧化组分铝蚀刻液，特别涉及一种双氧化组分铝蚀刻液、以及制备方法与其在铝基半导体装置中的应用。

背景技术

铝金属因为具有低电阻、易于沉积及蚀刻的优点，成为半导体制成中最主要的导线材料，而且铝的导电性仅次于银和铜，居于第三位，可用于制造各种导线。

铝蚀刻液为无色透明液体，略带有酸性气味，现有技术中主要由磷酸和硝酸组成的水溶液作为铝蚀刻液，制备方法是将磷酸和硝酸按照一定比例搅拌均匀后蚀刻半导体基板、玻璃基板的表面形成配线、电极等。但是该方法制得的蚀刻液在蚀刻铝金属时蚀刻速度慢、往往还难以控制蚀刻角度和蚀刻量，影响产品的良率和蚀刻速率。

因此，如何提供一种刻速度快、控制蚀刻角度和蚀刻量制得较高性能的铝基半导体装置是一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用，以克服现有技术中蚀刻液在蚀刻铝金属时蚀刻速度慢、往往还难以控制蚀刻角度和蚀刻量，影响产品的良率和蚀刻速率的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

所述一种双氧化组分铝蚀刻液，包括第一氧化组分和第二氧化组分，其中，第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1～2:3～5；

第一氧化组分各组分及各组分含量为硝酸10～30wt％、醋酸盐缓冲溶液10～20wt％以及去离子水；

第二氧化组分各组分以及各组分含量为双氧水10～30wt％、醋酸盐缓冲溶液10～20wt％、磷酸20～50wt％、阳离子表面活性剂10～20wt％以及去离子水。

可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1:3。

可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1:4。

可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1:5。

可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为2:3。

可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1:2。

可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为2:5。

可选地，所述硝酸的质量分数上限选自15wt％、20wt％、25wt％、30wt％；所述硝酸的质量分数下限选自10wt％、15wt％、20wt％、25wt％。

可选地，所述第一氧化组分中醋酸盐缓冲溶液的质量分数上限选自12wt％、14wt％、16wt％、18wt％、20wt％；所述第一氧化组分中醋酸盐缓冲溶液的质量分数下限选自10wt％、12wt％、14wt％、16wt％、18wt％。

可选地，所述双氧水的质量分数上限选自12wt％、15wt％、20wt％、22wt％、25wt％、28wt％、30wt％；所述双氧水的质量分数下限选自10wt％、12wt％、15wt％、20wt％、22wt％、25wt％、28wt％。