[发明专利]太阳能电池表面钝化方法

权利要求书

1.一种太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1，提供太阳能电池原始硅片，对原始硅片进行镀膜前的预处理；

步骤S2，对硅片正面镀双层氮化硅膜；

步骤S3，对硅片背面镀氧化镓膜；

步骤S4，对步骤S3中的硅片退火处理，然后在硅片背面镀第二介质膜；

步骤S5，对硅片背面激光开窗；

步骤S6，对硅片进行丝网印刷金属化处理，获得电池片。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S2进一步包括：在管式PECVD内对硅片的正面镀两层氮化硅膜，总厚度控制在78±10nm范围内，总折射率控制在2.12±0.05范围内；其中第一层氮化硅厚度为15～25nm，折射率为2.25～2.45；第二层氮化硅厚度为40～60nm，折射率为1.85～2.05。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S3进一步包括：镀氧化镓的方法为通过ALD、PEALD、PECVD以及LPCVD设备镀氧化镓膜中的一种。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S3进一步包括：通过PEALD对硅片的背面镀氧化镓膜，参与镀氧化镓膜的反应气体包括TMGa、臭氧以及辅助气体；通过调节TMGa和臭氧比例进行反应制备氧化镓膜，镀膜速率控制在0.7Å/循环，膜厚控制在20±55nm范围内，折射率为1.5～1.7；辅助气体为氩气、氨气、硅烷、笑气中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S3进一步包括：与TMGa一起生成氧化镓膜的反应物包括水、O₂、O₃中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S4进一步包括：第二介质膜为氮化硅、氧化硅、ITO膜中的一种或多种，第二介质膜为一层或多层。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S4进一步包括：第二介质膜为两层氮化硅，先用管式PECVD在300℃的温度对氧化镓膜退火10分钟，然后开始镀背面氮化硅膜。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S4进一步包括：第二介质膜为两层氮化硅，通过调节氨气、硅烷比例和反应时间，将第一层氮化硅膜厚度控制在20～40nm，折射率为2.2 ～ 2.45，气体比例为氨气：硅烷为3:1 ～ 8:1之间，反应时间为5分钟；通过调节氨气、硅烷比例和反应时间，将第二层氮化硅膜厚度控制在40～80nm，折射率为1.95～2.07，气体比例为氨气：硅烷为9:1～15:1之间，反应时间为10分钟。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S5进一步包括：利用波长为532nm、输出功率25～30瓦的激光器，在硅片背面烧熔出虚实相间的线条，激光开窗图形为长方形或者正方形或者圆形，开窗面积占比为1.0%～1.5%。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S1中对原始硅片进行镀膜前的预处理，包括以下步骤：

步骤a，提供太阳能电池原始硅片；

步骤b，对原始硅片制绒清洗；

步骤c，原始硅片制绒清洗后进行磷扩散；

步骤d，对硅片去除背面及侧面的磷硅玻璃；

步骤e，对硅片背面及侧面碱抛刻蚀和酸洗；

步骤f，将碱抛刻蚀后的硅片PN结推进。