[发明专利]基于磁电效应的磁成像阵列传感器

权利要求书

1.一种基于磁电效应的磁成像阵列传感器，其特征在于，

包括：

中空壳体状的外屏蔽层；

位于所述外屏蔽层的底部的第一机械支撑层；

位于所述第一机械支撑层的上方的第一导电层；

设置于所述第一导电层的上方，包括以阵列形式排列的多个磁电敏感元的磁电敏感元阵列；

位于所述磁电敏感元阵列的上方的第二导电层；

位于所述第二导电层的上方的第二机械支撑层；以及

分别与所述磁电敏感元对应地设置于所述第二机械支撑层的上方，将所述多个磁电敏感元输出的电荷信号转变为电压信号的多个前置电路。

2.根据权利要求1所述的基于磁电效应的磁成像阵列传感器，其特征在于，

所述多个磁电敏感元按行列排列形成二维阵列。

3.根据权利要求1所述的基于磁电效应的磁成像阵列传感器，其特征在于，

所述磁电敏感元包括磁电复合体和设置于所述磁电复合体的两端的磁铁；

所述磁电复合体由两层磁致伸缩材料和位于所述两层磁致伸缩材料之间的一层压电材料复合而成；

所述磁电敏感元以所述磁致伸缩材料和所述压电材料层叠的方向为上下方向设置于所述第一导电层的上方。

4.根据权利要求3所述的基于磁电效应的磁成像阵列传感器，其特征在于，

所述磁致伸缩材料为Terfenol-D或Metglas；

所述压电材料为PMNT、BaTiO3或PZT。

5.根据权利要求1所述的基于磁电效应的磁成像阵列传感器，其特征在于，

所述多个前置电路与所述第二机械支撑层之间设置有第三导电层。

6.根据权利要求5所述的基于磁电效应的磁成像阵列传感器，其特征在于，

所述第一导电层与所述磁电敏感元阵列的底部之间设置有第一柔性导电层；

所述第二导电层与所述磁电敏感元阵列的顶部之间设置有第二柔性导电层。

7.根据权利要求6所述的基于磁电效应的磁成像阵列传感器，其特征在于，

所述第二柔性导电层通过带屏蔽外壳的信号线连接所述前置电路的输入端。

8.根据权利要求6所述的基于磁电效应的磁成像阵列传感器，其特征在于，

所述第一至第三导电层的材料为铜或铝；

所述第一柔性导电层和所述第二柔性导电层的材料为柔性导电银胶或柔性电路板。

9.根据权利要求1所述的基于磁电效应的磁成像阵列传感器，其特征在于，

在所述第一机械支撑层和所述第二机械支撑层之间还设置有用于支撑的多个机械支撑柱。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的基于磁电效应的磁成像阵列传感器，其特征在于，

所述第一机械支撑层、所述第二机械支撑层和所述机械支撑柱的材料为合成树脂或尼龙；

所述外屏蔽层的材料为铝、铜箔或外表涂金的树脂。