[发明专利]晶须补强氧化锆种植一体冠

权利要求书

1.一种晶须补强氧化锆种植一体冠，其特征在于，包括晶须补强氧化锆基体，所述晶须补强氧化锆基体的中心处设有纵向贯通的螺丝孔，晶须补强氧化锆基体由上至下由种植体上部冠、穿龈部和用于连接种植体的连接部组成；所述晶须补强氧化锆基体的材料为晶须补强氧化锆，所述晶须补强氧化锆的原料包括主材料及添加剂，所述主材料按质量百分比计由氧化锆80-99%和晶须1-20%组成，所述添加剂按占晶须重量的百分比计包括：超细纳米氧化铝粉0.1-1%，超细纳米氧化硅粉0-0.1%；

所述晶须为氧化铝晶须、碳化硅晶须、氮化硅晶须、莫来石晶须中的一种或几种，晶须直径D 为0.1-1µm，长度为 20-100µm，长径比为 30-200:1；

将氧化锆、晶须及添加剂制成晶须补强氧化锆浆料，通过脉冲电场导向的3D胶态分层成型工艺实现晶须补强氧化锆基体内部晶须均匀地呈定向和/或网状弥散分布并具有掺杂梯度结构；脉冲电场高压电源的输出功率为0-5kw，电压0-15kv，频率为0-100Hz；在电场作用下晶须长轴定向排布的方向和电场方向平行。

2.根据权利要求1所述的晶须补强氧化锆种植一体冠，其特征在于，所述晶须预处理后再使用，对于碳化硅晶须和氮化硅晶须，预处理方法为：采用0.01-0.1mol/L的HNO₃或H₂SO₄浸泡10-30分钟，用去离子水洗涤至pH=7，然后用0.05-0.2mol/L的HF酸浸泡1-10秒，用去离子水洗涤至pH=7，烘干，再用分散液浸泡10-24小时，过滤并烘干；

对于氧化铝晶须和莫来石晶须，预处理方法为：采用处理液在75-80℃处理10-15分钟，用去离子水洗涤至pH=7，然后用0.05-0.2mol/L的HF酸浸泡1-10秒，用去离子水洗涤至pH=7，烘干，再用分散液浸泡10-24小时，过滤并烘干。

3.根据权利要求2所述的晶须补强氧化锆种植一体冠，其特征在于，所述分散液由分散介质和表面活性剂组成，表面活性剂含量为1-3wt%，所述分散介质为三氯乙烯、正丁醇、异丙醇、乙醇、乙二醇、水中的一种或几种，所述表面活性剂为金属醇盐、聚乙二醇、非离子型聚丙烯酰胺、羧甲基纤维素钠中的一种或几种；所述处理液由5L去离子水，1-1.5L 氨水，1-1.2L双氧水混合而成。

4.根据权利要求1或2所述的晶须补强氧化锆种植一体冠，其特征在于，所述穿龈部的外表面设有活性层，活性层的厚度为0.2-1微米。

5.根据权利要求4所述的晶须补强氧化锆种植一体冠，其特征在于，活性层制备方法为：将前驱体与占据前驱体重量1-3%的分散剂混合，所述前驱体为铝含量1-5mol%、钇含量2-6mol%的氧化铝掺杂钇部分稳定氧化锆前驱体，配置成2-15vol%的浆料，调节pH至3-6，搅拌均匀，然后加入行星球磨中球磨10-30h，调节浆料pH至8-10，加入占前驱体重量1-5%的成型孔隙剂制成镀膜溶液；然后进行镀膜，经过100-200℃温度下干燥，在900-1400℃温度下，烧结1-2小时得到具有纳米孔尺寸为20-150纳米的薄膜。

6.根据权利要求1或2所述的晶须补强氧化锆种植一体冠，其特征在于，所述螺丝孔的内表面设有遮色层，遮色层厚度20-200μm。