[发明专利]一种NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料及制备与应用

权利要求书

1.一种NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料的制备方法，其特征在于包含如下步骤：

(1)中空介孔SiO₂的制备

在搅拌条件下，将十六烷基三甲基溴化铵与乙醇、水混合，再加入含正硅酸四乙酯、正庚烷和氨水的混合溶液，然后25～80℃老化12～24h；老化后固液分离，干燥；最后高温煅烧除去十六烷基三甲基溴化铵，得到中空介孔SiO₂；

(2)C/NiCo-NiCo-前体的制备

以步骤(1)制得的中空介孔SiO₂为模板，葡萄糖作为碳源，与聚乙烯吡咯烷酮、六水合硝酸镍、六水合硝酸钴、尿素和溶剂混合，经水热反应，得到C/NiCo-NiCo-前体；

(3)NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料的制备

将步骤(2)制得的C/NiCo-NiCo-前体与NaH₂PO₄·H₂O分别置于管式炉气流的下风口和上风口，在氮气保护下，200～400℃高温磷化处理2～5h；冷却后在氢氧化钠溶液中刻蚀12～24h去除SiO₂模板，固液分离并干燥，得到NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料；

步骤(1)中所述的正硅酸四乙酯、十六烷基三甲基溴化铵、正庚烷、氨水、水和乙醇的质量比为1.00：(0.1～0.2)：(0.5～1)：(0.5～1)：(50～60)：(25～30)。

2.根据权利要求1所述的NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料的制备方法，其特征在于：

步骤(1)中所述的高温煅烧的条件为500～700℃煅烧5～10h。

3.根据权利要求1所述的NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料的制备方法，其特征在于：

步骤(2)中所述的中空介孔SiO₂、葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮、六水合硝酸镍、六水合硝酸钴和尿素的质量比为1：9：50：7.25：14.55：20。

4.根据权利要求1所述的NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料的制备方法，其特征在于：

步骤(2)中所述的溶剂为乙醇和水的混合物，其中，乙醇和水的体积比为1:1。

5.根据权利要求1所述的NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料的制备方法，其特征在于：

步骤(2)中所述的水热反应的条件为：120℃～200℃反应6～12h。

6.根据权利要求1所述的NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料的制备方法，其特征在于：

步骤(3)中所述的C/NiCo-NiCo-前体和NaH₂PO₄·H₂O的质量比(1:2)～(1:10)。

7.根据权利要求1所述的NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料的制备方法，其特征在于：

步骤(3)中所述的氢氧化钠溶液的浓度为4mol/L。

8.一种NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料，通过权利要求1～7任一项所述的制备方法制备得到。

9.权利要求8所述的NiCoP/NiCoP/C多壳空心结构电极材料在超级电容器制备领域中的应用。