[发明专利]一种像素单元结构及制作方法

权利要求书

1.一种像素单元结构，其特征在于，包括：

衬底；

第一光电二极管和第二光电二极管，自所述衬底的正面分设于所述衬底内；

沟槽隔离结构，位于所述衬底内，自所述衬底的正面隔离所述第一光电二极管和所述第二光电二极管；其中

所述沟槽隔离结构包括二极管沟槽隔离结构和光电沟槽隔离结构，所述二极管沟槽隔离结构环绕所述第一光电二极管的周边和所述第二光电二极管的周边；所述光电沟槽隔离结构覆盖所述第二光电二极管表面。

2.如权利要求1所述的像素单元结构，其特征在于，所述光电沟槽隔离结构在垂直于所述衬底表面的投影面积大于第二光电二极管在垂直于所述衬底表面的投影面积。

3.如权利要求1所述的像素单元结构，其特征在于，所述第一光电二极管具有垂直于所述衬底表面的第一高度，所述第二光电二极管具有垂直于所述衬底表面的第二高度，所述光电沟槽隔离结构具有垂直于所述衬底表面的光电沟槽结构高度；所述第一高度等于所述第二高度与所述光电沟槽结构高度之和。

4.如权利要求3所述的像素单元结构，其特征在于，所述第二高度小于1μm。

5.如权利要求3所述的像素单元结构，其特征在于，所述二极管沟槽隔离结构具有垂直于所述衬底表面的二极管沟槽高度，所述二极管沟槽高度大于或等于所述光电沟槽高度。

6.如权利要求1所述的像素单元结构，其特征在于，所述第二光电二极管的灵敏度低于所述第一光电二极管的灵敏度。

7.一种像素单元结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

自所述衬底的正面形成分设于所述衬底内的第一光电二极管和初始第二光电二极管；

自所述衬底的正面形成沟槽和第二光电二极管，所述沟槽包括二极管沟槽和光电沟槽，所述二极管沟槽环绕所述第一光电二极管的周边和所述第二光电二极管的周边，所述光电沟槽位于所述第二光电二极管上；

填充所述沟槽，形成沟槽隔离结构，其中所述二极管沟槽填充形成二极管沟槽结构，所述光电沟槽填充形成光电沟槽结构。

8.如权利要求7所述的像素单元结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底的正面形成覆盖所述第一光电二极管的图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述衬底形成所述二极管沟槽，刻蚀所述初始第二光电二极管形成所述第二光电二极管和位于所述第二光电二极管上的光电沟槽。

9.如权利要求8所述的像素单元结构的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺形成所述二极管沟槽和所述光电沟槽。

10.如权利要求8所述的像素单元结构的制作方法，其特征在于，形成所述沟槽隔离结构后，还包括：形成位于所述衬底的正面的金属隔离层，所述金属隔离层对应覆盖所述二极管沟槽结构。