[发明专利]基片处理装置在审

申请号：	202011576637.7	申请日：	2020-12-28
公开（公告）号：	CN113161255A	公开（公告）日：	2021-07-23
发明（设计）人：	樱井宏纪;后藤大辅;中泽贵士;高松祐助;桥本佑介	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/306
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理装置
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【说明书】：

本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部内对基片释放混合液。此外，混合部包括：合流部，其用于供升温后的硫酸流动的硫酸供给管路与供液体流动的液体供给管路合流；和反应抑制机构，其抑制合流部中的升温后的硫酸与液体的反应。

技术领域

本发明涉及一种基片处理装置。

背景技术

一直以来，已知有在半导体晶片(以下，也称为晶片。)等基片上形成的膜中包含两种材料(例如，配线材料和防扩散膜)的情况下，选择性地蚀刻一种材料的技术(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-285508号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时，在混合部发生突沸反应的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部内对基片释放上述混合液。此外，上述混合部包括：合流部，其用于供升温后的硫酸流动的硫酸供给管路与供上述液体流动的液体供给管路合流；和反应抑制机构，其抑制上述合流部中的升温后的硫酸与上述液体的反应。

发明效果

依照本发明，能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理系统的概要结构的示意图。

图2是表示处理单元的具体的结构例的示意图。

图3是表示实施方式中的蚀刻处理的概要的图。

图4是表示实施方式的混合液供给部的结构的图。

图5是表示实施方式的反应抑制机构的结构的图。

图6是表示实施方式的蚀刻处理中的各部的运作模式的具体例子的时序图。

图7是表示实施例和参考例的反应停止时间的图。

图8是表示实施方式的变形例1的反应抑制机构的结构的图。

图9是表示变形例1和参考例的反应停止时间的图。