[发明专利]平板探测器的制备方法

说明书

本发明提供一种平板探测器的制备方法，在栅绝缘层中形成源电极互连孔和光电二极管通孔后，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离AOS TFT，可避免后续在制备PD成膜过程中，对AOS TFT中的非晶氧化物有源层造成损伤，避免非晶氧化物有源层的性能劣化，从而可提高平板探测器质量及性能；在制备完成PD后，通过对金属隔离层进行一次图形化，即可同时形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，工艺简单，便于操作；通过缓冲层可减少衬底中的杂质离子进入器件中，且可减少薄膜或衬底的应力对器件的影响；栅电极可直接作为非晶氧化物有源层的遮光层，从而无需额外制备TFT的遮光层，以降低工艺复杂度及成本。

技术领域

本发明属于平板探测器领域，涉及一种平板探测器的制备方法。

背景技术

数字化X射线摄影(Digital Radio Graphy，简称DR)，是上世纪90年代发展起来的X射线摄影新技术，以其更快的成像速度、更便捷的操作、更高的成像分辨率等显著优点，成为数字化X射线摄影技术的主导方向，并得到世界各国的临床机构和影像学专家的认可。其在医疗影像诊断成像、工业探伤、安检等领域的应用越来越广泛，在X射线辐射成像应用中，一般要求平板探测器面积达43cm×43cm，X射线探测器TFT面板的设计对其功能的实现起了很大的作用。

平板探测器概括的说是一种采用半导体技术将X射线能量转换为电信号，产生X射线图像的检测器。平板探测器由上百万乃至上千万个像素单元电路所组成，像素单元电路一般由薄膜晶体管(TFT)和光电二极管(PD)所组成。传统的平板探测器主要为非晶硅平板探测器，其像素单元电路由a-Si TFT和a-Si PD所组成。

随着社会的发展，对TFT读取速率的要求越来越高，与传统的a-Si TFT相比较，由于非晶氧化物(AOS)TFT具有较高的场效应迁移率(约为a-Si TFT迁移率的10倍以上)和较低的关态电流(fA级别)等优势，从而可应用于制备具有高帧率、低噪声等优势的动态平板探测器。

然而，在制备由AOS TFT和a-Si PD阵列所组成的平板探测器时，a-Si PD阵列成膜制程会对AOS TFT产生不利影响，会导致AOS TFT的性能劣化，降低了产品良率。

因此，提供一种平板探测器的制备方法，实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种平板探测器的制备方法，用于解决现有技术中在制备平板探测器时，a-Si PD阵列成膜制程对AOS TFT造成不利影响，使得AOS TFT的性能劣化的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种平板探测器的制备方法，包括以下步骤：

提供衬底；

于所述衬底上形成缓冲层；

于所述缓冲层上形成图形化的源电极及漏电极；

形成非晶氧化物薄膜，并图形化所述非晶氧化物薄膜，形成与所述源电极及漏电极相接触的非晶氧化物有源层；

形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述非晶氧化物有源层、源电极、漏电极及缓冲层；

图形化所述栅绝缘层，形成源电极互连孔及光电二极管通孔，其中，所述源电极互连孔显露部分所述源电极，所述光电二极管通孔显露部分所述缓冲层；

形成金属隔离层，所述金属隔离层覆盖所述源电极互连孔、光电二极管通孔及栅绝缘层；

于所述金属隔离层上形成光电二极管及透明顶电极；

图形化所述光电二极管及透明顶电极，以显露部分所述金属隔离层；

图形化所述金属隔离层，形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，其中，所述栅电极位于所述非晶氧化物有源层上方，所述金属互联层与所述光电二极管底电极及源电极互联；