[发明专利]改善的前触点异质结工艺

说明书

本发明描述了使用改善的前触点异质结工艺制造太阳能电池的方法，以及所得太阳能电池。在示例中，太阳能电池包括具有第一光接收表面和第二光接收表面的基板。隧道介电层设置在所述第一光接收表面和所述第二光接收表面上。N型多晶硅层设置在设置于所述第一光接收表面上的所述隧道介电层的部分上。P型多晶硅层设置在设置于所述第二光接收表面上的所述隧道介电层的部分上。透明的导电氧化物层设置在所述N型多晶硅层上以及所述P型多晶硅层上。第一组导电触点设置在设置于所述N型多晶硅层上的所述透明的导电氧化物层的部分上。第二组导电触点设置在设置于所述P型多晶硅层上的所述透明的导电氧化物层的部分上。

本申请是基于申请日为2015年8月31日、申请号为201580042607.9、发明创造名称为“改善的前触点异质结工艺”的中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年9月5日提交的美国临时申请No.62/046,717的权益，该临时申请的全部内容据此以引用方式并入本文。

技术领域

本公开的实施例属于可再生能源领域，并且具体地讲，涉及使用改善的前触点异质结工艺制造太阳能电池的方法，以及所得太阳能电池。

背景技术

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区域和n掺杂区域，从而在掺杂区域之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。

效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍所需的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。

附图说明

图1至图6示出了根据本公开实施例的太阳能电池制造中的各个阶段的剖视图，其中：

图1示出提供的基板；

图2示出在光接收表面纹理化之后图1的结构；

图3示出其上形成有隧道介电层的图2的结构；

图4示出第一硅层和第二硅层形成之后图3的结构；

图5示出TCO层高温退火并沉积之后图4的结构；以及

图6示出其上形成有导电触点的图5的结构。

图7为根据本公开的实施例的流程图，该流程图列出与图1至图6相对应的太阳能电池的制造方法中的操作。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作实例、例子或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其他实施优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括提及“一个实施例”或“实施例”。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或语境：

“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除其他结构或步骤。