[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。优选避免破坏感测IGBT。所述半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其设置于半导体基板；电流感测部，其用于检测流经晶体管部的电流；发射电极，其被设定为晶体管部的发射极电位；感测电极，其与电流感测部电连接；齐纳二极管，其电连接到发射电极与感测电极之间。所述半导体装置的制造方法包括：在晶体管部设置半导体基板的步骤；设置对流经晶体管部的电流进行检测的电流感测部的步骤；设置被设定为晶体管部的发射极电位的发射电极的步骤；设置与电流感测部电连接的感测电极的步骤；设置电连接到发射电极与感测电极之间的齐纳二极管的步骤。

技术领域

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

在专利文献1中公开了在具备感测IGBT的半导体装置中设置齐纳二极管。

现有技术文献

专利文献1：国际公开第2017/141560号

发明内容

技术问题

优选避免破坏感测IGBT。

技术方案

在本发明的第1方式中，提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其设置于半导体基板；电流感测部，其用于检测流经晶体管部的电流；发射电极，其被设定为晶体管部的发射极电位；感测电极，其与电流感测部电连接；以及齐纳二极管，其电连接到发射电极与感测电极之间。

齐纳二极管可以设置于半导体基板上。

半导体装置可以具备被设定为发射极电位且与齐纳二极管电连接的发射极电位电极。

半导体装置可以具备设置于半导体基板且被设定为发射极电位的第二导电型的阱区。半导体装置可以具备设置于发射极电位电极与阱区之间的层间绝缘膜。半导体装置可以具备设置于层间绝缘膜的接触孔，且将发射极电位电极与阱区电连接的接触部。

感测电极可以在俯视时形成为矩形。齐纳二极管可以沿着感测电极的至少两边设置。

齐纳二极管可以沿着感测电极的至少三边设置。

半导体装置可以在半导体基板的上方具备将发射极电位电极与发射电极连接的电极连接部。

齐纳二极管可以具有第一导电型区域和第二导电型区域。第一导电型区域和第二导电型区域在俯视时可以并排配置。

第一导电型区域的膜厚可以为0.3μm以上且1μm以下，第二导电型区域的膜厚可以为0.3μm以上且1μm以下。

半导体装置可以具备具有设置于半导体基板的二极管的温度感测部。温度感测部的二极管的膜厚可以与齐纳二极管的膜厚大致相同。

齐纳二极管的接合长度为0.6mm以上且3.0mm以下。

齐纳二极管可以具有：第二导电型的阱区；第一导电型区域，其在半导体基板中设置于阱区的上方；第二导电型区域，其在半导体基板中设置于第一导电型区域的上方。

晶体管部可以具有：第一导电型的漂移区；第二导电型的基区，其设置于漂移区的正面侧；第一导电型的发射区，其掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的集电区，其掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。第一导电型区域可以具有与发射区相同的膜厚和掺杂浓度。

在本发明的第2方式中，提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法包括：在晶体管部设置半导体基板的步骤；设置对流经晶体管部的电流进行检测的电流感测部的步骤；设置发射电极的步骤，所述发射电极被设定为晶体管部的发射极电位；设置与电流感测部电连接的感测电极的步骤；设置电连接到发射电极与感测电极之间的齐纳二极管的步骤。