[发明专利]氧化铟锌锡溅镀靶材及其导电膜

说明书

一种氧化铟锌锡溅镀靶材，其是由In、Zn、Sn及O所构成的烧结体。该烧结体是由In₂O₃结晶相与Zn₃In₂O₆结晶相所构成；其中，以In、Zn及Sn为100at％计，In含量是介于77at％至90at％间，且Zn/In是大于0.05。本发明也提供一种由前述氧化铟锌锡溅镀靶材所镀制而得的氧化铟锌锡导电膜。本发明控制该氧化铟锌锡溅镀靶材的烧结体内具有足够的Zn含量(Zn/In大于0.05)，以使其烧结体内是由In₂O₃结晶相与Zn₃In₂O₆结晶相所构成，从而透过能提高镀膜韧性与延展性的Zn₃In₂O₆结晶相，使经该氧化铟锌锡溅镀靶材所镀制而得的导电膜具有可挠性，以供可挠性电子装置相关技术产业所应用。

技术领域

本发明是涉及一种溅镀靶材，特别是涉及一种氧化铟锌锡溅镀靶材及其导电膜。

背景技术

氧化铟锡(indium tin oxide；简称ITO)是由In-Sn-O所组成的透明导电性氧化物(transparent conductive oxide；简称TCO)。一般商用的氧化铟锡(ITO)薄膜基于其在130nm的膜厚下具备有低电阻率(resistivity；1.89×10^-4Ω-cm)以及高穿透率(波长于550nm条件下约为93.9％)等优异的特性，因而广泛地应用于显示器、太阳能电池、发光二极管(LED)与有机发光二极管(OLED)等电子装置相关产业，以作为前述各种电子装置的透明电极来使用。ITO薄膜在前述相关产业中所惯用的成膜技术手段，多半是采用溅镀法(sputtering)来完成。然而，基于ITO薄膜的结晶温度只约150℃至200℃间，一旦应用于前述各种电子装置的制作过程中所处的制程环境温度大于ITO薄膜的结晶温度时，则ITO薄膜便转变成结晶结构，因而不利于应用在可挠性电子装置相关技术产业。

此外，随着消费性电子产品快速的发展，现代人使用手机和电脑屏幕时间过长，而导致诸多眼睛的疾病，因此研究具备能过滤蓝光的显示装置，也成为显示器领域中的重点。

中国台湾第I437115证书号发明专利案(以下称前案1)公开一种溅镀靶材，其是由氧化铟(In₂O₃)粉末、氧化锡(SnO₂)粉末与氧化锌(ZnO)粉末所构成的一烧结体(sinteredbody)；前案1所载技术内容提到，当Zn原子含量大于Sn原子含量时，经溅镀法所形成的氧化物金属薄膜在非结晶状态时的电阻率介于3.9×10^-4Ω-cm至4.9×10^-4Ω-cm间，兼具优良的蚀刻特性及透光率，可用于取代ITO薄膜。虽然经前案1的溅镀靶材所溅镀而得的氧化物金属薄膜能兼具优良的蚀刻特性及透光率；然而，对于其金属氧化物薄膜的可挠性及过滤蓝光的特性并未提出任何测试结果。

经上述说明可知，改良用于溅镀TCO薄膜的氧化铟锌锡溅镀靶材的组成，以令其靶材经溅镀法所制得的TCO薄膜除了能满足业界对电阻率的需求外，更能满足可挠性电子装置及显示装置对过滤蓝光的特性等相关技术产业的需求，是本案相关技术人员有待突破的课题。

发明内容

本发明的第一目的，在于提供一种有利于提升镀膜可挠性的氧化铟锌锡溅镀靶材。

本发明的氧化铟锌锡溅镀靶材，是由In、Zn、Sn及O所构成的烧结体。该烧结体是由In₂O₃结晶相与Zn₃In₂O₆结晶相所构成；其中，以In、Zn及Sn为100at％计，In含量是介于77at％至90at％间，且Zn/In是大于0.05。

本发明的氧化铟锌锡溅镀靶材，Zn含量是介于6.5at％至19at％间。