[发明专利]薄膜封装结构及其制备方法、发光器件和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜封装结构，其特征在于，包括第一无机阻隔层、第一缓冲层和第一有机阻隔层，所述第一缓冲层设于所述第一无机阻隔层和所述第一有机阻隔层之间；所述第一缓冲层包括有机性质的第一化合物和无机性质的第二化合物；自所述第一无机阻隔层至所述第一有机阻隔层的方向上，所述第一缓冲层中的所述第一化合物与所述第二化合物的质量比逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，还包括第二缓冲层和第二无机阻隔层，所述第二缓冲层设于所述第一有机阻隔层和所述第二无机阻隔层之间；所述第二缓冲层包括所述第一化合物和所述第二化合物，自所述第一有机阻隔层至所述第二无机阻隔层的方向上，所述第二缓冲层中的所述第一化合物与所述第二化合物的质量比逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层中的所述第一化合物独立地选自SiO_xC_y和SiO_xN_y中的一种或多种，所述第二化合物选自硅化物。

4.根据权利要求2所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述第一缓冲层和/或所述第二缓冲层中的所述第一化合物与所述第二化合物的质量比为[0.05，0.95]，在所述第一缓冲层和/或所述第二缓冲层的厚度方向上每间隔50nm～150nm，所述第一化合物与所述第二化合物的质量比变化0.1。

5.根据权利要求2所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述第一缓冲层和/或所述第二缓冲层的厚度为500nm～1500nm。

6.根据权利要求2所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述第一无机阻隔层和所述第二无机阻隔层的材料为硅化物，所述第一有机阻隔层的材料为丙烯酸酯和环氧树脂中的一种或多种。

7.根据权利要求1～6任一项所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述薄膜封装结构还包括第三无机阻隔层，所述第三无机阻隔层设于所述第一无机阻隔层远离所述第一缓冲层的一侧，所述第三无机阻隔层的材料为无机氧化物。

8.一种权利要求1～7任一项所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成第一无机阻隔层；

在所述第一无机阻隔层上形成第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上形成第一有机阻隔层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一缓冲层通过化学气相沉积法或者物理气相沉积法形成。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一缓冲层的方法包括以下步骤：以SiH₄、NH₃和N₂O为原料，在化学气相沉积过程中，通过调节各原料的通入比例控制所述第一缓冲层中的第一化合物与第二化合物的质量比。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一缓冲层的方法包括以下步骤：以六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷、N₂和N₂O为原料，在化学气相沉积过程中，通过调节各原料的通入比例控制所述第一缓冲层中的第一化合物与第二化合物的质量比。

12.一种发光器件，其特征在于，包括基板、发光单元和权利要求1～7任一项所述的薄膜封装结构，所述发光单元设于所述基板上，所述薄膜封装结构设于所述基板上并覆盖所述发光单元，且所述第一无机阻隔层位于所述发光单元与所述第一缓冲层之间。