[发明专利]气相沉积晶圆温度控制结构及方法

权利要求书

1.一种气相沉积晶圆温度控制结构，其特征在于，包含：

一晶圆承载装置，具有一晶圆定位通孔，该晶圆定位通孔供一晶圆置入，该晶圆定位通孔大于该晶圆，以对应于该晶圆的边缘形成一温控间距，该晶圆定位通孔内设有多个承载指，以撑托该晶圆的边缘；以及

一温控气体供应单元，衔接于该晶圆承载装置并朝向该温控间距供应温控气体，以使该温控气体通过该晶圆的边缘。

2.根据权利要求1所述的气相沉积晶圆温度控制结构，其特征在于，其进一步包含一热源面，该热源面与该晶圆保持一受热间距。

3.根据权利要求2所述的气相沉积晶圆温度控制结构，其特征在于，该晶圆承载装置包含一碟盘以及一大盘模块，该晶圆定位通孔设置在该碟盘的中央，该碟盘的边缘设有一呈环状的衔接部；该碟盘定位于该大盘模块，该大盘模块具有至少一个碟盘槽，该碟盘槽设有一环槽沟，以供该衔接部置入；该环槽沟衔接一入气引道，以引入温控气体于该环槽沟中施力于该衔接部使该碟盘悬浮，该环槽沟与该衔接部之间具有通气间隙，以供该温控气体的一部分通过后导向该碟盘槽而进入该温控间距，该环槽沟衔接于一导出口，以供该温控气体的其余部分排出。

4.根据权利要求3所述的气相沉积晶圆温度控制结构，其特征在于，该入气引道相对于与该环槽沟的衔接角度的切线方向分量大于径向方向分量，使该碟盘旋转。

5.一种气相沉积晶圆温度控制方法，其特征在于，包含：在一晶圆承载装置中对应于一晶圆的边缘设置温控间距，减少该晶圆与该晶圆承载装置的接触性热传导，并对该晶圆温控间距注入温控气体，使该温控气体接触该晶圆的边缘进行热传导，以控制该晶圆的温度变化。

6.根据权利要求5所述的气相沉积晶圆温度控制方法，其特征在于，其进一步包含在该晶圆承载装置中设置一热源面，该热源面与该晶圆的非反应面保持一受热间距，使该热源面对该非反应面传递辐射热。

7.根据权利要求6所述的气相沉积晶圆温度控制方法，其特征在于，该温控气体同时注入该受热间距。

8.根据权利要求6所述的气相沉积晶圆温度控制方法，其特征在于，其进一步包含在该晶圆承载装置中设置一碟盘，以容置该晶圆，该温控间距形成于该碟盘与该晶圆之间，对该碟盘进行升降调整，以改变该受热间距。

9.根据权利要求8所述的气相沉积晶圆温度控制方法，其特征在于，以该碟盘的旋转带动该晶圆旋转，使该非反应面所受到的辐射增温过程更为均匀，并同时使该温控气体与该晶圆的边缘接触更为平均。

10.根据权利要求5至8中的任一项所述的气相沉积晶圆温度控制方法，其特征在于，该温控气体中包含氮气。

11.根据权利要求5至8中的任一项所述的气相沉积晶圆温度控制方法，其特征在于，该温控气体中包含氢气。

12.根据权利要求5至8中的任一项所述的气相沉积晶圆温度控制方法，其特征在于，该温控气体中包含氩气。