[发明专利]一种改善金属电极形貌的方法在审
| 申请号： | 202011581872.3 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112768353A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郭文瑞;邓杨;向小健;郑泉水 | 申请（专利权）人： | 深圳清华大学研究院;清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属电极 形貌 方法 | ||
1.改善金属电极形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供金属薄膜，在所述金属薄膜上覆盖至少一层光刻胶层，并对所述光刻胶层进行加工并形成微结构图案；
热处理，对所述金属薄膜进行加热，调整所述微结构图案的陡直度和/或尖角；
刻蚀，利用所述光刻胶层作为掩膜，刻蚀所述金属薄膜样品。
2.如权利要求1所述的改善金属电极形貌的方法，其特征在于：所述金属薄膜采用沉积工艺沉积于衬底上，并形成金属薄膜样品。
3.如权利要求1所述的改善金属电极形貌的方法，其特征在于：所述微结构图案采用光刻显影工艺成型。
4.如权利要求1所述的改善金属电极形貌的方法，其特征在于：在所述热处理步骤时，加热温度为100℃至160℃，加热时间为5s至300s。
5.如权利要求1所述的改善金属电极形貌的方法，其特征在于：在所述热处理步骤时，所述加热温度为梯度加热，优选的，其加热温度为从低至高的梯度加热。
6.如权利要求1所述的改善金属电极形貌的方法，其特征在于：所述光刻胶层的厚度为0.3μm至10μm。
7.如权利要求2所述的改善金属电极形貌的方法，其特征在于：所述衬底采用金属衬底，所述金属薄膜的厚度为30nm至70nm。
8.如权利要求1所述的改善金属电极形貌的方法，其特征在于：在刻蚀步骤时，将位于所述金属薄膜上的所有所述光刻胶层完全刻蚀。
9.如权利要求1所述的改善金属电极形貌的方法，其特征在于：在刻蚀步骤后，还包括去残留步骤，去除所述金属薄膜样品的表面上残留的所述光刻胶层。
10.如权利要求9所述的改善金属电极形貌的方法，其特征在于：去除残留表面光刻胶时，采用湿法去除或干法去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
