[发明专利]一种N型TopCOn太阳能电池的背面金属电极及制备方法和电池有效

专利信息
申请号: 202011582094.X 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN112687755B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 丰明璋;杨金芳;何胜;徐伟智 申请(专利权)人: 正泰新能科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 314400 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 topcon 太阳能电池 背面 金属电极 制备 方法 电池
【权利要求书】:

1.一种N型TopCOn太阳能电池,其特征在于,所述N型TopCOn太阳能电池采用如下方法制备的背面金属电极:

(1)在基底的背面由LPCVD的方式沉积SiOx/Poly-Si膜层,并在Poly-Si膜层上通过P扩散形成N+掺杂层,再以LPCVD的方式沉积背面SiNxHy膜层;

(2)用银浆在背面SiNxHy膜层上印刷形成若干根相互垂直的第一银细栅和第一银主栅;

(3)用铝浆在第一银细栅上叠加印刷形成第二铝细栅,并在第一银主栅的各段间和各段的周围印刷形成第二铝主栅;

所述第一银细栅的根数为106~122,宽度为25~40um,高度为5~10um;

第一银主栅的根数为5~12,每根主栅内的段数为4~12,每段长度为2~8mm,宽度为0.1~2mm,高度为4~8um;

第二铝细栅的根数为106~122,宽度为35~45um,高度为10~20um;

第二铝主栅的根数为5~12根,宽度为0.3~3.0mm,高度10~30um;

背面SiOx膜层厚度为1~8nm,Poly-Si膜层厚为100~200nm,背面SiNxHy膜层厚度50~100nm。

2.根据权利要求1所述的N型TopCOn太阳能电池,其特征在于,基底的正面包括通过B扩散形成的P+层、由ALD或PECVD的方式沉积的AlOx膜层和PECVD的方式沉积的正面SiNxHy膜层组成的正面减反膜、在正面减反膜上印刷形成的金属栅线电极;

AlOx膜层厚为2~15nm,正面SiNxHy膜层厚为50~100nm。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,金属栅线电极由银/铝浆印刷烧结形成。

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