[发明专利]一种N型TopCOn太阳能电池的背面金属电极及制备方法和电池有效
申请号: | 202011582094.X | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112687755B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 丰明璋;杨金芳;何胜;徐伟智 | 申请(专利权)人: | 正泰新能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 314400 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 topcon 太阳能电池 背面 金属电极 制备 方法 电池 | ||
1.一种N型TopCOn太阳能电池,其特征在于,所述N型TopCOn太阳能电池采用如下方法制备的背面金属电极:
(1)在基底的背面由LPCVD的方式沉积SiOx/Poly-Si膜层,并在Poly-Si膜层上通过P扩散形成N+掺杂层,再以LPCVD的方式沉积背面SiNxHy膜层;
(2)用银浆在背面SiNxHy膜层上印刷形成若干根相互垂直的第一银细栅和第一银主栅;
(3)用铝浆在第一银细栅上叠加印刷形成第二铝细栅,并在第一银主栅的各段间和各段的周围印刷形成第二铝主栅;
所述第一银细栅的根数为106~122,宽度为25~40um,高度为5~10um;
第一银主栅的根数为5~12,每根主栅内的段数为4~12,每段长度为2~8mm,宽度为0.1~2mm,高度为4~8um;
第二铝细栅的根数为106~122,宽度为35~45um,高度为10~20um;
第二铝主栅的根数为5~12根,宽度为0.3~3.0mm,高度10~30um;
背面SiOx膜层厚度为1~8nm,Poly-Si膜层厚为100~200nm,背面SiNxHy膜层厚度50~100nm。
2.根据权利要求1所述的N型TopCOn太阳能电池,其特征在于,基底的正面包括通过B扩散形成的P+层、由ALD或PECVD的方式沉积的AlOx膜层和PECVD的方式沉积的正面SiNxHy膜层组成的正面减反膜、在正面减反膜上印刷形成的金属栅线电极;
AlOx膜层厚为2~15nm,正面SiNxHy膜层厚为50~100nm。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,金属栅线电极由银/铝浆印刷烧结形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于正泰新能科技有限公司,未经正泰新能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011582094.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数据同步方法、装置、设备及介质
- 下一篇:一种浮游藻类检测设备及检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的