[发明专利]一种磁性存储单元及其的制备方法、磁性存储器

权利要求书

1.一种磁性存储单元的制备方法，其特征在于，包括：

在预设的自旋轨道矩金属基体表面，向外依次设置磁性自由层、绝缘隧道层、磁性参考层及掩膜层，得到待刻蚀单元；

对所述掩膜层、所述磁性参考层及所述绝缘隧道层进行刻蚀，得到包括柱状凸起的刻蚀工件；

在所述刻蚀工件表面设置保护层；

对柱状外围区的磁性自由层进行定向处理形成高电阻率区，得到存储单元预置物；

去除所述存储单元预置物的掩膜层上方的保护层，得到磁性存储单元。

2.如权利要求1所述的磁性存储单元的制备方法，其特征在于，所述对柱状外围区的磁性自由层进行定向处理形成高电阻率区，得到存储单元预置物包括：

对柱状外围区的磁性自由层进行掺杂形成高电阻率区，得到存储单元预置物。

3.如权利要求1所述的磁性存储单元的制备方法，其特征在于，所述对柱状外围区的磁性自由层进行定向处理形成高电阻率区，得到存储单元预置物包括：

对柱状外围区的磁性自由层进行定向氧化形成高电阻率区，得到存储单元预置物。

4.如权利要求1所述的磁性存储单元的制备方法，其特征在于，在对柱状外围区的磁性自由层进行定向处理形成高电阻率区之前，还包括：

去除所述磁性自由层表面的保护层，保留所述柱状凸起侧壁的保护层。

5.如权利要求1所述的磁性存储单元的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀工件表面设置保护层之前，还包括：

对所述柱状凸起的侧壁进行物理清洁。

6.如权利要求5所述的磁性存储单元的制备方法，其特征在于，所述物理清洁包括等离子体清洗或离子束刻蚀。

7.如权利要求1所述的磁性存储单元的制备方法，其特征在于，所述保护层通过溅射沉积或离子束沉积或化学气相沉积或原子层沉积中任一种方法设置于所述刻蚀工件表面。

8.一种磁性存储单元，其特征在于，从下至上依次包括自旋轨道矩金属基体、磁性自由层、柱状凸起及保护层；

所述柱状凸起从下至上依次包括绝缘隧道层、磁性参考层及掩膜层；

所述磁性自由层包括位于柱状外围区的高电阻率区及位于柱状区的低电阻率区；

所述保护层设置于所述柱状凸起的侧表面及所述磁性自由层的上表面。

9.如权利要求8所述的磁性存储单元，其特征在于，所述保护层为氮化硅层、氧化硅层或氮氧化硅层中任一种。

10.一种磁性存储器，其特征在于，所述磁性存储器包括如权利要求8至9任一项所述的磁性存储单元。