[发明专利]光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法

说明书

本申请属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法。本申请的光刻胶涂布设备包括装载台、至少一个喷头、多个压电单元和控制器，装载台用于装载晶圆，喷头设于装载台的上方，喷头设有多个朝向装载台设置的喷口，多个喷口沿喷头的长度方向间隔设置，多个喷口通过喷头内的供给管道与外部光刻胶供给单元相连通，任一个喷口处均设有压电单元，压电单元用于控制喷口与供给管道间的通断，控制器用于控制压电单元，从而控制喷口与供给管道间的通断。根据本申请的光刻胶涂布设备，能够在无需转动晶圆的基础上对晶圆表面进行光刻胶涂布，并能够根据晶圆表面各位置所需的涂布厚度进行精确控制，保证涂布质量。

技术领域

本申请属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法。

背景技术

光刻工艺是半导体芯片制造中非常重要的一道工艺，它是借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基板上，一般要经历基板表面清洗烘干、涂底、光刻胶涂布、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。这其中，光刻胶涂布又是重中之重，只有在基板上均匀涂布预定量的光刻胶，才能为后续的图形转移打下良好的基础。

现有的半导体集成电路中涂布光刻胶的方法常常采用旋转涂布法，旋涂方法形成光刻胶层的步骤如下：

首先需要将半导体晶片置于旋涂设备的支撑台上，通过真空吸附该半导体晶片；

通过马达驱动所述支撑台旋转，该支撑台带动所述半导体晶片旋转；

向所述半导体晶片表面的中央喷出光刻胶；

在所述半导体晶片的旋转的离心力的作用下，光刻胶沿半导体晶片表面向外铺开，并覆盖整个半导体晶片的表面，形成光刻胶层，多余的光刻胶被甩出所述半导体晶片的表面之外；

继续旋转半导体晶片的表面，使得半导体晶片表面不同位置的光刻胶层的厚度尽可能的一致，并使光刻胶层中的溶剂挥发

然而在上述过程中，晶圆表面各处位置的光刻胶层的厚度不可控，且在光刻胶的涂布过程中量耗大，从而造成光刻胶的浪费。

发明内容

本发明的目的是至少解决光刻胶涂布过程中晶圆表面各位置处的光刻胶厚度不可控的问题。

本申请的第一方面提出了一种光刻胶涂布设备，所述光刻胶涂布设备包括：

装载台，所述装载台用于装载晶圆；

至少一个喷头，所述喷头设于所述装载台的上方，所述喷头设有多个朝向所述装载台设置的喷口，多个所述喷口沿所述喷头的长度方向间隔设置，多个所述喷口通过所述喷头内的供给管道与外部光刻胶供给单元相连通；

多个压电单元，任一个所述喷口处均设有所述压电单元，所述压电单元用于控制所述喷口与所述供给管道间的通断；

控制器，所述控制器用于控制所述压电单元，从而控制所述喷口与所述供给管道间的通断。

本申请的另一方面还提出了一种光刻胶涂布方法，所述光刻胶涂布方法根据上述任一项所述的光刻胶涂布设备进行光刻胶涂布，包括以下步骤：

将晶圆置于装载台上并固定；

根据传感器感应的晶圆位置，使部分喷口与供给管路间保持导通状态；

通过导通后的所述喷口喷射光刻胶，对晶圆表面进行光刻胶涂布；

沿平行于所述晶圆表面的方向移动所述喷头，同时根据所述传感器感测的所述喷头的位置控制所述压电单元，对所述喷口与所述供给管路间的导通状态进行切换。

附图说明