[发明专利]一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法

权利要求书

1.一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将前处理后的硅片置于扩散设备中，抽真空后升温，通入氧气进行预氧化，形成二氧化硅层；

(2)步骤(1)预氧化完成后，升温后通入氧气和携磷源载气，在硅片表面沉积磷源；

(3)停止通入氧气和携磷源载气，继续升温后维持恒温，进行无源推进处理；

(4)步骤(3)完成后降温，再次通入氧气和携磷源载气后沉积磷源；

(5)停止通入携磷源载气，进行二次氧化，然后再同时通入氧气和携磷源载气，再次沉积磷源，得到扩散处理后的硅片。

2.根据权利要求1所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(1)所述硅片为P型硅片；

优选地，步骤(1)所述硅片的前处理依次为清洗及制绒工艺；

优选地，步骤(1)所述扩散设备包括管式扩散炉；

优选地，步骤(1)所述硅片先正面朝上置于石英舟中，与石英舟共同送进扩散设备中。

3.根据权利要求1或2所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(1)所述抽真空后压力降至100Pa以下；

优选地，步骤(1)所述升温至温度为740～760℃；

优选地，步骤(1)所述氧气的通入流量为500～1000sccm；

优选地，步骤(1)所述预氧化时，炉内压力为50～150mbar；

优选地，步骤(1)所述预氧化的时间为3～6min。

4.根据权利要求1-3任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(2)所述升温分为两个阶段，第一阶段升温至760～780℃，第二阶段升温至780～800℃；

优选地，步骤(2)所述磷源包括三氯氧磷；

优选地，步骤(2)所述载气包括氮气和/或惰性气体；

优选地，步骤(2)所述沉积包括一次沉积和二次沉积，所述一次沉积在第一阶段升温至恒温后进行，所述二次沉积自第二阶段升温开始进行；

优选地，所述一次沉积时，所述携磷源载气的通入流量为200～800sccm，所述氧气的通入流量为100～1000sccm；

优选地，所述二次沉积时，所述携磷源载气的通入流量为600～1200sccm，所述氧气的通入流量为100～1000sccm；

优选地，所述一次沉积和二次沉积时，炉内压力独立地为50～150mbar；

优选地，所述一次沉积和二次沉积时额外通入载气维持压力，通入流量独立地为0～1000sccm；

优选地，所述一次沉积和二次沉积的时间独立地为2～4min。

5.根据权利要求1-4任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(3)所述升温后温度达到850～870℃，然后维持恒温；

优选地，步骤(3)所述无源推进处理过程中，单独通入载气维持压力为50～150mbar；

优选地，所述载气的通入流量为1000～2000sccm；

优选地，步骤(3)所述无源推进处理包括升温和恒温两个阶段，总时间为10～25min。

6.根据权利要求1-5任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(4)所述降温后温度为760～790℃；

优选地，步骤(4)所述携磷源载气的通入流量为100～600sccm，所述氧气的通入流量为100～600sccm；

优选地，步骤(4)所述沉积时，炉内压力为50～150mbar；

优选地，步骤(4)额外通入载气维持压力，通入流量为0～1000sccm；

优选地，步骤(4)所述沉积的时间为2～4min。

7.根据权利要求1-6任一项所述的扩散工艺方法，其特征在于，步骤(5)所述二次氧化的温度为760～780℃；

优选地，步骤(5)所述二次氧化时氧气的通入流量为100～1000sccm；

优选地，步骤(5)所述二次氧化时还通入载气维持炉内压力为50～150mbar，载气的通入流量为0～1000sccm；

优选地，步骤(5)所述二次氧化的时间为5～10min。