[发明专利]一种反激同步整流电路有效
申请号: | 202011584117.0 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112821768B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 张艺蒙;孙世凯;郭辉;张玉明;吴勇 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 同步 整流 电路 | ||
1.一种反激同步整流电路,其特征在于,包括:
第一同步整流模块,所述第一同步整流模块用于通过隔离产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号;
第二同步整流模块,所述第二同步整流模块用于采集副边MOSFET的漏极电平和源极电平,并比较所述副边MOSFET的漏极电平和源极电平以得到电平差,当所述电平差由正变负时产生高电平,当所述电平差由负变正时,产生低电平,从而产生同步整流控制信号;
同步整流信号处理模块,所述第一同步整流模块和所述第二同步整流模块连接所述同步整流信号处理模块,所述同步整流信号处理模块用于采集副边驱动控制信号和同步整流控制信号,并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述同步整流控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号;
副边驱动模块,所述同步整流信号处理模块连接所述副边驱动模块,所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET;
所述第一同步整流模块包括反相器F1、数字电容隔离器、两级反相器链,所述反相器F1的输入端连接PWM信号端,所述反相器F1的输出端连接所述数字电容隔离器,所述数字电容隔离器连接所述两级反相器链,所述两级反相器链连接所述同步整流信号处理模块;
所述第二同步整流模块包括稳压器、第一迟滞比较器C1、第二迟滞比较器C2和RS触发器RS1,其中,所述稳压器的输入端连接VDD电源端,所述稳压器的输出端连接REG稳压电源端,所述第一迟滞比较器C1的同相输入端和所述第二迟滞比较器C2的反相输入端均连接所述副边MOSFET的漏极,所述第一迟滞比较器C1的反相输入端连接开启阈值端,所述第二迟滞比较器C2的同相输入端连接关闭阈值端,所述第一迟滞比较器C1的地端和所述第二迟滞比较器C2的地端均连接所述副边MOSFET的源极,所述第一迟滞比较器C1的输出端和所述第二迟滞比较器C2的输出端均连接所述RS触发器RS1,所述RS触发器RS1连接所述同步整流信号处理模块。
2.根据权利要求1所述的反激同步整流电路,其特征在于,所述同步整流信号处理模块具体用于采集所述副边驱动控制信号和所述同步整流控制信号,且在所述副边驱动控制信号处于上升沿、所述同步整流控制信号处于下降沿时,产生与所述第一同步整流模块同时开启、与所述第二同步整流模块同时关断的所述同步整流控制信号。
3.根据权利要求2所述的反激同步整流电路,其特征在于,所述同步整流信号处理模块包括第一主从触发器和第二主从触发器,所述第一主从触发器的输入端连接所述第一同步整流模块,所述第二主从触发器的输入端连接所述第二同步整流模块,所述第一主从触发器的输出端和所述第二主从触发器的输出端连接所述副边驱动模块。
4.根据权利要求1所述的反激同步整流电路,其特征在于,所述副边驱动模块具体用于将所述同步整流信号处理模块输出的所述驱动信号进行增强以驱动所述副边MOSFET。
5.根据权利要求4所述的反激同步整流电路,其特征在于,所述副边驱动模块包括四级反相器链,所述四级反相器链连接所述同步整流信号处理模块。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学,未经西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011584117.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种外机控制电路与空调系统
- 下一篇:一种蒙皮温度控制方法及系统