[发明专利]一种利用电化学方法单步制备三角形铜纳米片的方法

权利要求书

1.一种利用电化学方法单步制备三角形铜纳米片的方法，其特征在于，包含如下步骤：

S1、准备电解反应池，电解反应池包括培养皿、阴极载板、阳极探针和稳压直流电源；

S2、将铜片生长基底置于阴极载板上，将阴极载板置于培养皿底部，将CuSO₄电解液倒入培养皿中，将阳极探针正对铜片生长基底中心垂直插入电解液并距铜片生长基底一段距离，将稳压直流电源的阳极与阳极探针连接，阴极与阴极载板连接，其中所述CuSO₄电解液浓度为50～150g/L；

S3、调节电解反应池温度，开启稳压直流电源通电进行电解，通电一段时间后即在铜片生长基底上表面生长出三角形铜纳米片，其中稳压直流电源的通电参数为：电压10～20V，电流0.4～0.8A，时间8～12h。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，阳极探针与铜片生长基底之间的距离为6～10mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，阳极探针为钨针，直径为2～6mm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，铜片生长基底的制备为：将铜片退火处理，然后进行抛光处理，得到铜片生长基底；其中：退火处理的条件为450～550℃下退火1.5～2.5h，结束后将铜片置入蒸馏水中迅速冷却；抛光工艺为：先用砂纸手工粗磨至3000-5000目，再通过抛光机进行抛光至抛光机的砂纸目数最高为7000～8000目。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，铜片生长基底的形状为圆形或正方形，圆形直径或正方形边长为8～12mm；铜片生长基底厚度为1～2mm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，铜片生长基底成分为紫铜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中，调节电解反应池温度为15～25℃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中，稳压直流电源的通电参数为：电压10～15V，电流0.4～0.6A，时间8～10h。