[发明专利]一种5G通信专用GaN微波功率器件及其封装工艺

权利要求书

1.一种5G通信专用GaN微波功率器件，包括壳体、金属热沉、GaN微波功率芯片、电容、电极支架和管帽，其特征在于：GaN微波功率芯片包括SiC衬底（1），SiC 衬底（1）上生长GaNHEMT外延结构（2），GaN HEMT外延结构（2）由下到上依次包括氮化铝层、非掺杂GaN层、铝镓氮层多层结构，GaN HEMT外延结构（2）上通过蒸发和剥离形成栅极，栅极两侧设置有源极和漏极，源极和漏极与GaN HEMT外延结构（2）形成欧姆接触，源极、漏极、栅极之外的GaN HEMT外延结构（2）上淀积SiN薄膜（3）；电容通过含有纳米银的导电胶贴在金属热沉上，GaN微波功率芯片通过含有纳米银的导电胶贴在金属热沉上，导电胶厚度为40微米；所述纳米银作为连接芯片与金属热沉的导电层，导电层形成源极接地和散热层；所述金属热沉上焊接电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、GaN微波功率芯片X1、GaN微波功率芯片X2，所述GaN微波功率芯片X1两侧引脚分别引出焊线与电容C1、电容C2连接，所述GaN微波功率芯片X1右侧引脚引出焊线连接漏极；所述电容C1左侧引脚引出焊线连接栅极，GaN微波功率芯片X2两侧分别引出焊线与电容C4、电容C5连接，GaN微波功率芯片X2右侧引出焊线连接漏极，电容C4左侧引出焊线连接电容C3右侧，所述电容C3左侧引出焊线连接栅极；所述焊线采用铜线，直径为35微米。

2.根据权利要求1所述的一种5G通信专用GaN微波功率器件，其特征在于：所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5均采用硅基MOS电容。

3.根据权利要求1所述的一种5G通信专用GaN微波功率器件，其特征在于：管帽采用陶瓷、塑料、LCP中任意一种材料。

4.一种5G通信专用GaN微波功率器件封装工艺，其特征在于包括以下步骤：

步骤（1）贴片：将电容和GaN微波功率芯片通过导电胶固定在管壳的金属热沉上；

步骤（2）打线：将电容、GaN微波功率芯片和电极进行连接；

步骤（3）封帽：利用自动封帽机进行涂胶封帽，然后进行固化；

所述步骤（1）具体过程包括：

1）利用点胶机点胶后，将电容通过含有纳米银的导电胶贴在金属热沉上，导电胶厚度为40微米；

2）利用点胶机点胶后，将芯片通过含有纳米银的导电胶贴在金属热沉上，导电胶厚度为40微米；

3）然后在烘箱内进行固化，固化温度为250度，时间30分钟。