[发明专利]磁场传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011586451.X | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112881952A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王华;刘云启;于阳东;姜晨;孙欣;李路明;吕康康;牟成博;祝远锋;肖子洋 | 申请（专利权）人： | 国网江西省电力有限公司信息通信分公司;国家电网有限公司;上海大学;江西师范大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市青山湖*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种磁场传感器，其特征在于，包括入射单模光纤、出射单模光纤、硼锗共掺光纤和毛细管，所述硼锗共掺光纤的传入端和输出端分别与所述入射单模光纤和所述出射单模光纤的一端连接，所述入射单模光纤和所述出射单模的另一端分别连接可调谐激光器和光功率检测仪器，所述硼锗共掺光纤上设有接近色散拐点的长周期光纤光栅，所述长周期光纤光栅设于毛细管内，所述毛细管内还设有磁流体，所述毛细管设于磁场发生器之间，所述磁场发生器与稳定电源连接。
2.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述硼锗共掺光纤的包层直径为120-130微米，所述硼锗共掺光纤的纤芯直径为6-7微米。
3.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述磁场发生器内设有磁力计。
4.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述长周期光线光栅的周期范围为100-2000微米。
5.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述长周期光纤光栅的工作波长范围为600-2400纳米。
6.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述磁流体为水基磁性流体。
7.权利要求1-6任意一项所述的磁场传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
刻写接近于色散拐点的长周期光纤光栅：将预设长度的硼锗共掺光纤熔接在入射单模光纤和出射单模光纤之间，通过激光器在硼锗共掺光纤上刻写接近色散拐点的长周期光纤光栅；
将长周期光纤光栅设于毛细管内，利用紫外固化胶封装所述毛细管的一端，待所述紫外固化胶固化后利用注射器将磁流体导入所述毛细管内，施加轴向压力保持长周期光纤光栅处于伸直状态，将所述毛细管的另一端通过紫外固化胶进行密封。
8.根据权利要求7所述的磁场传感器的制备方法，其特征在于，所述硼锗共掺光纤的预设长度为3厘米。
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