[发明专利]一种太阳能电池芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在锗衬底上依次生成太阳能功能层以及正面电极层以形成电池初成品；

S2、在所述电池初成品上从设置所述正面电极层的一面向设置所述锗衬底的一面蚀刻处理以形成若干个蚀刻槽，所述蚀刻槽延伸至所述锗衬底并在锗衬底上形成预设深度，所述蚀刻槽将所述电池初成品划分形成多个芯片初成品；

S3、对蚀刻处理后的电池初成品涂覆粘合层，以使得粘合层包覆于所述正面电极层、所述太阳能功能层以及所述锗衬底的部分侧面，并且通过粘合层将电池初成品粘设于临时衬底上；

S4、对所述锗衬底处理以减薄所述锗衬底厚度直至露出所述蚀刻槽中的粘合层，使得所述蚀刻槽将所述电池初成品分隔成多个芯片初成品；

S5、在所述电池初成品上从设置所述锗衬底一面去除部分粘合层，使得锗衬底凸出于所述粘合层的表面；

S6、在所述电池初成品上从设置所述锗衬底一面蒸镀背面电极层，使得背面电极层覆盖于所述锗衬底的裸露表面；

S7、去除所述粘合层以及临时衬底；

S8、将位于所述蚀刻槽处的背面电极层断开以形成多个太阳能电池芯片。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池芯片的制作方法，其特征在于，还包括步骤：S9、对所述太阳能电池芯片退火处理以使得所述正面电极层与太阳能功能层融合接触以形成欧姆接触层。

3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池芯片的制作方法，其特征在于：在S8中，研磨位于所述蚀刻槽处的背面电极层以使得所述背面电极层断开，并且所述背面电极层在所述锗衬底的边缘形成有上沿部，背面电极的底面与所述上沿部的外表面之间通过研磨形成第一弧形过渡面。

4.根据权利要求2所述的一种太阳能电池芯片的制作方法，其特征在于：在S5中，利用硝酸、氢氟酸和冰乙酸的混合溶液腐蚀凸出于所述粘合层的表面的锗衬底，以使得所述锗衬底的底面与所述锗衬底的侧面之间设置有第二弧形过渡面。

5.根据权利要求2所述的一种太阳能电池芯片的制作方法，其特征在于：所述粘合层为石蜡材料，在S7中，利用除蜡液去除所述粘合层以及临时衬底。