[发明专利]用于晶体管健康监测的方法及设备

说明书

本申请案的实施例涉及用于晶体管健康监测的方法及设备。实例门驱动器(504)包含：请求接收器引脚(503)、测量传输器引脚(505)及驱动器控制逻辑引脚(507)，所述请求接收器引脚、所述测量传输器引脚及所述驱动器控制逻辑引脚经配置以耦合到控制器(502)；感测引脚(544)，所述感测引脚将耦合到感测电路(510)；控制逻辑电路(506)，其具有耦合到所述请求接收器引脚的输入；晶体管(512)，其耦合到所述控制逻辑电路及所述感测引脚；多路复用器(514)，其耦合到所述控制逻辑电路及所述感测引脚；模/数转换器ADC(516)，其耦合到所述多路复用器及所述测量传输器引脚；及驱动器控制逻辑电路(518)，其耦合到所述驱动器控制逻辑引脚。

技术领域

本发明大体上涉及用于切换装置的驱动器，且更特定来说，涉及用于晶体管健康监测的方法及设备。

背景技术

场效应晶体管(FET)是使用电场来控制电流流动的电子装置。FET是具有源极、栅极及漏极端子的三端子装置；多个FET可并联连接且经封装作为电源模块。电流从FET的源极到漏极的流动由施加于栅极端子的电压控制，其更改漏极与源极端子之间的导电性。FET装置通常还包含允许电流在特定条件下从源极流到漏极的本征体二极管。现代FET装置相对稳健，尤其是当操作于由制造商定义的温度及电限制内时。然而，FET及体二极管两者可随着电力被递送通过装置而降级，此可随着时间的推移降低装置的可靠性。

发明内容

根据本申请案的实施例，提供一种门驱动器，其包括：请求接收器引脚、测量传输器引脚、驱动器控制逻辑引脚、感测引脚、控制逻辑电路、晶体管、多路复用器、模/数转换器(ADC)及驱动器控制逻辑电路。所述请求接收器引脚、所述测量传输器引脚及所述驱动器控制逻辑引脚经配置以耦合到控制器。所述感测引脚将耦合到感测电路。所述控制逻辑电路具有耦合到所述请求接收器引脚的输入。所述晶体管耦合到所述控制逻辑电路及所述感测引脚。所述多路复用器耦合到所述控制逻辑电路及所述感测引脚。所述模/数转换器(ADC)耦合到所述多路复用器及所述测量传输器引脚。所述驱动器控制逻辑电路耦合到所述驱动器控制逻辑引脚。

根据本申请案的另一实施例，提供一种门驱动器，其包括：引脚、第一晶体管、多路复用器、控制逻辑电路及模/数转换器(ADC)。所述控制逻辑电路耦合到所述多路复用器及所述第一晶体管，所述控制逻辑电路经配置以关断所述第一晶体管以偏置经配置以耦合到所述多路复用器的减饱和电路的第一二极管，且所述减饱和电路用于响应于所述第一二极管的所述偏置测量与第二晶体管相关联的第一电压。所述模/数转换器(ADC)耦合到所述多路复用器，所述ADC用于将所述第一电压转换成数字输出，且所述数字输出将由控制器经由所述引脚获得。

根据本申请案的另一实施例，提供一种系统，其包括：控制器；减饱和电路，其包含二极管；晶体管，其耦合到所述减饱和电路；及门驱动器，其耦合到所述控制器。所述减饱和电路、所述晶体管及所述门驱动器经配置以：响应于来自所述控制器的请求，偏置所述二极管以产生与所述晶体管相关联的第一电压；及将所述第一电压传输到所述控制器。所述控制器经配置以基于所述第一电压与第二电压的比较产生指示与所述晶体管相关联的健康参数的警告，且所述第二电压在所述第一电压之前由所述减饱和电路产生。

根据本申请案的额外实施例，提供一种方法。所述方法包括：将请求从控制器传输到门驱动器，所述门驱动器经配置以获得与第一晶体管相关联的第一电压；响应于所述门驱动器获得所述请求，关断包含于所述门驱动器中的第二晶体管；用减饱和电路测量所述第一电压，所述减饱和电路耦合到所述门驱动器及所述第一晶体管；用所述控制器基于所述第一电压确定与所述第一晶体管相关联的第二电压；及响应于所述第二电压与第三电压之间的差满足阈值，用所述控制器产生指示与所述第一晶体管相关联的健康参数的警告。

附图说明

图1描绘晶体管的示意性说明。

图2描绘包含图1的晶体管的电路的示意性说明。