[发明专利]像素电路、图像传感器、摄像模组和电子设备有效
申请号: | 202011587897.4 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112615995B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 罗轶 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | H04N5/225 | 分类号: | H04N5/225;H04N5/355;H04N5/374 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;王淑梅 |
地址: | 523863 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 图像传感器 摄像 模组 电子设备 | ||
1.一种像素电路,其特征在于,包括:
光电转换器件,用于响应入射光并根据光电效应产生电荷;
电荷存储器,所述电荷存储器与所述光电转换器件连接,所述电荷存储器用于将所述光电转换器件产生的所述电荷进行存储;
第一传输晶体管,与所述光电转换器件和电荷存储器连接,所述第一传输晶体管用于转移所述电荷至所述电荷存储器;
第二传输晶体管,与所述光电转换器件连接,所述第二传输晶体管用于转移所述电荷至预设节点,以销毁所述电荷;
曝光控制信号存储器,与所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管连接,所述控制信号存储器用于根据曝光控制信号生成电荷控制信号,以控制所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的导通状态。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,
所述曝光控制信号存储器为单位比特静态随机存储器或单位比特动态随机存储器。
3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述单位比特静态随机存储器包括:
信号接收器件,用于根据所述单位比特静态随机存储器的控制端的控制指令接收所述曝光控制信号;
信号处理器件,与所述信号接收器件连接,所述信号处理器件用于根据曝光控制信号生成所述电荷控制信号;
所述信号接收器件包括:第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极与所述曝光控制信号的输出端连接,所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极与所述单位比特静态随机存储器的控制端连接;
所述信号处理器件包括:第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管,所述第三晶体管和第四晶体管的源极与所述像素电路的第一电压源连接,所述第三晶体管的栅极分别与所述第五晶体管的栅极、所述第四晶体管的漏极、所述第六晶体管的漏极、所述第一晶体管的源极和所述第一传输晶体管连接,所述第四晶体管的栅极分别与所述第六晶体管的栅极、所述第三晶体管的漏极、所述第五晶体管的漏极、所述第二晶体管的源极和所述第二传输晶体管连接,所述第五晶体管和所述六晶体管的源极接地。
4.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述单位比特动态随机存储器包括:
第七晶体管,所述第七晶体管的漏极与所述曝光控制信号的输出端连接,所述第七晶体管的栅极与所述单位比特动态随机存储器的控制端连接,所述第七晶体管用于根据所述控制端的控制指令接收所述曝光控制信号;
第一电容,所述第一电容的第一端分别与所述第七晶体管的源极和所述第一传输晶体管连接,所述第一电容的第二端接地;
反向器,所述反向器的第一端与所述第一电容的第一端连接,所述反向器的第二端与所述第二传输晶体管连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的像素电路,其特征在于,还包括:
读取电路,与所述电荷存储器连接,所述读取电路用于读取所述电荷存储器中的所述电荷,并输出曝光图像。
6.根据权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述电荷存储器包括:
第一电荷存储器,与所述第一传输晶体管连接,所述第一电荷存储器用于根据所述读取电路的读取指令输出所述电荷;
第二电荷存储器,与所述第二传输晶体管连接,所述第二电荷存储器用于根据所述读取电路的读取指令进行重置。
7.根据权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述第一电荷存储器或所述第二电荷存储器包括:
第二电容,与所述光电转换器件连接;
存储晶体管,与所述第二电容和所述读取电路连接,所述存储晶体管用于转移所述第二电容中的电荷至所述读取电路。
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