[发明专利]一种光电器件微区光电流/反射图像特征提取及分析方法有效
申请号: | 202011588721.0 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112686273B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 张彤;周佩;吕磊;苏丹 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G06V10/40 | 分类号: | G06V10/40;G06V10/26;G06T7/194;G06T7/62 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 沈廉 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 器件 微区光 电流 反射 图像 特征 提取 分析 方法 | ||
1.一种光电器件微区光电流/反射图像特征提取及分析方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤1.分别提取光电器件表面平面电池区域无微纳结构和有微纳结构区域的光电流图像和反射图像;
步骤2.将步骤1中得到的光电流/反射图像进行去背景变换,得到变换后的光电流变化图像ΔI(x,y)和反射光变化图像ΔR(x,y);
步骤3.对变换后的光电流/反射图像进行特征提取,定义面积S为光电流或反射光变化的变化量与背景区域变化量平均值之差的图像面积,定义对比度C为图像标准差与均值之商;
步骤4.根据步骤3变换后的光电流/反射图像特征分析微纳结构对于器件电学性能的影响,结合以下规则,做出结构加入对器件影响的判断:
(1)C光电流=C反射光,且S(ΔI0)=S(ΔR0),S(ΔI0)=S(ΔR0);此时微纳结构的引入仅有光学上的作用,对电池的电学性能没有影响;
(2)S(ΔI0)S(ΔR0),S(ΔI0)S(ΔR0),此时微纳结构的引入不仅有光学上的作用,且使得器件电学性能变差;
(3)S(ΔI0)S(ΔR0),S(ΔI0)S(ΔR0),此时微纳结构的引入不仅有光学上的作用,且使得器件电学性能变好。
2.如权利要求1所述的一种光电器件微区光电流/反射图像特征提取及分析方法,其特征在于:所述微区光电流图像是指激光聚焦后在器件表面扫描,得到器件表面不同位置的光电流数值形成的图像,用于表征器件中微区光电流变化情况。
3.如权利要求1所述的一种光电器件微区光电流/反射图像特征提取及分析方法,其特征在于:所述反射图像为单色激光聚焦在器件表面扫描,提取光的反射信号形成的反射图像;或采用白光经显微镜聚焦在器件表面扫描,经过光栅分光得出的单色光反射图像,用于表征器件的光学特性。
4.如权利要求1所述的一种光电器件微区光电流/反射图像特征提取及分析方法,其特征在于:所述步骤2的去背景变换是指:定义平面电池区域即无微纳结构区域为背景区域,将带有微纳结构区域的光电流和反射光扫描值分别减去背景区域的光电流和反射光扫描值的平均值,得到光电流变换图像ΔI(x,y)和反射光变化图像ΔR(x,y)。
5.如权利要求1所述的一种光电器件微区光电流/反射图像特征提取及分析方法,其特征在于:所述步骤3对变换后的光电流/反射图像进行特征提取是指:定义S为光电流或反射光的变化量与背景区域变化量平均值之差的图像面积,S(ΔI0)、S(ΔI0)、S(ΔR0)、S(ΔR0)分别指光电流变化大于0的图像面积、光电流变化小于0的图像面积、反射光变化大于0的图像面积、反射光变化小于0的图像面积;定义对比度C为分别为图像标准差与均值之商。
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