[发明专利]电子设备及其控制方法和控制装置

权利要求书

1.一种电子设备，其特征在于，包括设备壳体(100)、发声器件(200)、第一封堵机构(300)和第二封堵机构(400)，所述发声器件(200)设置于所述设备壳体(100)之内，所述设备壳体(100)开设有第一出音孔(110)、第二出音孔(120)和导音通道(130)，所述导音通道(130)连通所述第一出音孔(110)和所述第二出音孔(120)，所述第一出音孔(110)和所述第二出音孔(120)间隔设置，所述发声器件(200)通过所述导音通道(130)与所述第一出音孔(110)以及所述第二出音孔(120)中的至少一者连通；

所述第一封堵机构(300)和所述第二封堵机构(400)均设置于所述设备壳体(100)，且所述第一封堵机构(300)与所述第一出音孔(110)对应分布，所述第二封堵机构(400)与第二出音孔(120)对应分布，所述第一封堵机构(300)具有封堵所述第一出音孔(110)的第一封堵状态，以及避让所述第一出音孔(110)的第一避让状态，所述第二封堵机构(400)具有封堵所述第二出音孔(120)的第二封堵状态，以及避让所述第二出音孔(120)的第二避让状态；

在所述电子设备处于第一状态的情况下，所述第一封堵机构(300)处于所述第一封堵状态，所述第二封堵机构(400)处于所述第二避让状态，所述发声器件(200)与所述第二出音孔(120)连通；

在所述电子设备处于第二状态的情况下，所述第一封堵机构(300)处于所述第一避让状态，所述第二封堵机构(400)处于所述第二封堵状态，所述发声器件(200)与所述第一出音孔(110)连通。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，在所述电子设备处于第三状态的情况下，所述第一封堵机构(300)处于所述第一封堵状态，所述第二封堵机构(400)处于所述第二封堵状态。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，在所述电子设备处于第四状态的情况下，所述第一封堵机构(300)处于所述第一避让状态，所述第二封堵机构(400)处于所述第二避让状态。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一封堵机构(300)为电致变形结构部，在所述电致变形结构部处于通电状态下，所述电致变形结构部的至少部分变形至与所述第一出音孔(110)相封堵配合的位置，在所述电致变形结构部处于断电状态下，所述电致变形结构部避让所述第一出音孔(110)；和/或，

所述第二封堵机构(400)为电致变形结构部，在所述电致变形结构部处于通电状态下，所述电致变形结构部的至少部分变形至与所述第二出音孔(120)相封堵配合的位置，在所述电致变形结构部处于断电状态下，所述电致变形结构部避让所述第二出音孔(120)。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述电致变形结构部包括离子传导驱动片，所述离子传导驱动片包括离子交换树脂层以及分别设置于所述离子交换树脂层相对的两个表面的第一电极层和第二电极层，所述离子交换树脂层内具有聚合物电解质。

6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，所述离子传导驱动片为一个，在施加于所述离子传导驱动片的电压为第一电压的情况下，所述离子传导驱动片沿着第一方向运动至与所述第一出音孔(110)封堵配合的位置，在施加于所述离子传导驱动片的电压为第二电压的情况下，所述离子传导驱动片沿着第二方向运动至避让所述第一出音孔(110)的位置，其中，所述第一电压与所述第二电压的极性相反，所述第一方向与所述第二方向相反；和/或，

所述离子传导驱动片为一个，在施加于所述离子传导驱动片的电压为第一电压的情况下，所述离子传导驱动片沿着第一方向运动至与所述第二出音孔(120)封堵配合的位置，在施加于所述离子传导驱动片的电压为第二电压的情况下，所述离子传导驱动片沿着第二方向运动至避让所述第二出音孔(120)的位置，其中，所述第一电压与所述第二电压的极性相反，所述第一方向与所述第二方向相反。