[发明专利]一种复合材料及其制备方法、发光二极管在审
申请号: | 202011589494.3 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN114695807A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 李俊杰;张天朔;郭煜林 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 徐凯凯 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合材料 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
本发明公开了一种复合材料及其制备方法、发光二极管,其中,所述复合材料包括氧化锌纳米颗粒以及结合在所述氧化锌纳米颗粒表面的苄胺类化合物。本发明所述复合材料中,所述苄胺类化合物结合在所述氧化锌纳米颗粒表面后不仅可以钝化氧化锌的表面缺陷,还可以提高氧化锌纳米颗粒间的距离,减少表面接触,从而减少团聚的发生;所述苄胺类化合物中的苯环具有共轭大π键,可以有效提高复合材料的载流子运输能力。
技术领域
本发明涉及发光二极管领域,尤其涉及一种复合材料及其制备方法、发光二极管。
背景技术
量子点发光二极管(QLED)是由阴极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阳极构成的结构,当外加电压时,电子和空穴分别从各自电极注入,两者复合发光。QLED由于其光谱在可见光区连续可调,宽吸收窄发射、高的色纯度和发光强度等优异性能得到越来越多的关注。
ZnO是一种常见的Ⅱ-Ⅵ半导体化合物,其材料的禁带宽度可达3.34eV,具有光电性能协调性,是一种理想的电子传输层材料。以电子传输层材料-ZnO基纳米晶作为QLED器件的载流子传输材料得到广泛的研究。
在氧化锌应用过程中,由于用于制备电子传输层的氧化锌纳米颗粒的粒径一般都接近甚至小于5nm,在此情况下氧化锌纳米颗粒具有非常大的比表面积,导致氧化锌颗粒非常不稳定,容易产生团聚现象。氧化锌颗粒团聚对成膜性与电子传输性能有极大的影响;另一方面,氧化锌表面缺陷会作为非复合辐射中心会对激子产生明显的淬灭作用,大大降低光电器件的发光效率。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种复合材料及其制备方法、发光二极管,旨在解决现有纳米氧化锌颗粒易团聚的问题。
本发明的技术方案如下:
一种复合材料,其中,包括氧化锌纳米颗粒以及结合在所述氧化锌纳米颗粒表面的苄胺类化合物。
一种复合材料的制备方法,其中,包括步骤:
将碱源分散到有机溶剂中,得到碱液;
将所述碱液加入到锌盐溶液中,再加入苄胺类化合物,反应制得所述复合材料。
一种发光二极管,其中,包括电子传输层,所述电子传输层材料为本发明所述的复合材料或者为本发明所述制备方法制得的复合材料。
有益效果:本发明提供的复合材料包括氧化锌纳米颗粒以及结合在所述氧化锌纳米颗粒表面的苄胺类化合物。所述苄胺类化合物结合在所述氧化锌纳米颗粒表面后不仅可以钝化氧化锌的表面缺陷,还可以提高氧化锌纳米颗粒间的距离,减少表面接触,从而减少团聚的发生;所述苄胺类化合物中的苯环具有共轭大π键,可以有效提高复合材料的载流子运输能力。
附图说明
图1为本发明提供的一种复合材料的制备方法较佳实施例的流程图。
图2为本发明提供的一种正置结构的量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
图3为本发明提供的一种倒置结构的量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
图4为对比例1制备的氧化锌纳米颗粒与实施例1-实施例3制备的复合材料的U-I对比图。
图5为本发明对比例1制得的氧化锌纳米颗粒与实施例2制得的复合材料分别分散在有机溶剂,并静置一个月的状态对比图。
具体实施方式
本发明提供一种复合材料及其制备方法、发光二极管,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择