[发明专利]一种射频前端放大电路、芯片、设备及配置方法

权利要求书

1.一种射频前端放大电路，其特征在于，用于对一路或多路输入电压信号进行放大并转换为一路或多路输出电压信号，所述射频前端放大电路包括：

至少两个低噪声放大模块；每一所述低噪声放大模块均用于将一路所述输入电压信号进行放大并转换为一路或多路中间电流信号；

电压输出模块，与各所述低噪声放大模块相连，用于将各所述低噪声放大模块输出的中间电流信号进行合并后转换为一路或多路所述输出电压信号。

2.根据权利要求1所述的射频前端放大电路，其特征在于，所述中间电流信号包括第一电流信号和第二电流信号，任一所述低噪声放大模块包括：

第一处理单元，用于对输入所述低噪声放大模块的一路输入电压信号进行放大并转换为一路或多路所述第一电流信号；

第二处理单元，用于实现所述低噪声放大模块的输入端阻抗匹配，并用于对输入所述低噪声放大模块的一路输入电压信号进行放大并转换为一路或多路所述第二电流信号；所述第二电流信号的数量与所述第一电流信号的数量相同。

3.根据权利要求2所述的射频前端放大电路，其特征在于，所述第一处理单元包括：

第一放大器，用于对输入所述低噪声放大模块的一路输入电压信号进行放大以获得第一电压信号；

至少一个可开关的第一跨导级；每一所述第一跨导级均与所述第一放大器相连，用于将所述第一电压信号转换为一路所述第一电流信号。

4.根据权利要求3所述的射频前端放大电路，其特征在于，所述第一放大器包括：

第三跨导级，用于将输入所述低噪声放大模块的一路输入电压信号转换为第三电流信号；

第一MOSFET，所述第一MOSFET的栅极和漏极相连，并且其栅极与各所述第一跨导级相连以构成至少一个电流镜，其漏极与所述第三跨导级相连；所述第一MOSFET基于所述第三电流信号在其栅极形成所述第一电压信号。

5.根据权利要求2所述的射频前端放大电路，其特征在于，所述第二处理单元包括：

匹配放大电路，用于实现所述低噪声放大模块的输入端阻抗匹配，并对输入所述低噪声放大模块的一路输入电压信号进行放大以获得第二电压信号，且将所述第二电压信号转换为反馈信号并反馈至所述低噪声放大模块的输入端；

至少一个可开关的第二跨导级，每一所述第二跨导级均与所述匹配放大电路相连，用于将所述第二电压信号转换为一路所述第二电流信号。

6.根据权利要求5所述的射频前端放大电路，其特征在于，所述匹配放大电路包括：

第二放大器，用于对输入所述低噪声放大模块的一路输入电压信号进行放大以获得第二电压信号；

反馈电路，与所述第二放大器和所述低噪声放大模块的输入端相连，用于将所述第二电压信号转换为所述反馈信号并反馈至所述低噪声放大模块的输入端。

7.根据权利要求2所述的射频前端放大电路，其特征在于，所述电压输出模块包括：

至少一个电流合并单元；所述电流合并单元用于对各所述低噪声放大模块输出的第一电流信号和第二电流信号进行合并以得到第四电流信号；

至少一个电流电压转换单元，分别与对应的电流合并单元相连；所述至少一个电流电压转换单元用于将所述第四电流信号转换为所述输出电压信号。

8.根据权利要求2所述的射频前端放大电路，其特征在于：

所述第一电流信号和所述第二电流信号为单端信号；或者

所述第一电流信号和所述第二电流信号为差分信号。

9.一种芯片，其特征在于：所述芯片包括权利要求1-8任一项所述的射频前端放大电路。

10.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括权利要求1-8任一项所述的射频前端放大电路。

11.一种信号路径的配置方法，其特征在于，应用于权利要求1-8任一项所述的射频前端放大电路，所述信号路径的配置方法包括：

获取一输入输出对应表，所述输入输出对应表用于描述所述输入电压信号与所述输出电压信号的对应关系；

根据所述输入输出对应表对所述射频前端放大电路中的信号路径进行配置。