[发明专利]一种基于方华膜无损转移二维材料的方法

权利要求书

1.一种基于方华膜无损转移二维材料的方法，其特征在于，将不同基底上的二维材料，通过方华膜无损转移到目标基底或TEM支撑网上，所述方华膜是由聚乙烯醇缩甲醛形成，

当通过方华膜将不同基底上的二维材料无损转移到目标基底时，包括如下步骤：

（1）在基底上制备二维材料；

（2）将聚乙烯醇缩甲醛溶于溶剂A中配制方华膜溶液；

（3）将步骤（2）配制好的方华膜溶液旋涂在步骤（1）制备的二维材料上；

（4）用溶剂B辅助方华膜/二维材料和基底分离，并用目标基底从溶剂B中捞取方华膜/二维材料，得到方华膜/二维材料/目标基底；

（5）将步骤（4）得到的方华膜/二维材料/目标基底干燥，之后再用溶剂A溶解方华膜，二维材料转移完成；

步骤（2）所述溶剂A为对聚乙烯醇缩甲醛具有溶解性的溶剂；

步骤（4）所述溶剂B为乙二醇或异丙醇；

当基于方华膜制备二维材料TEM样品时，采用如下步骤：

步骤1：用化学气相沉积法或者机械剥离法在基底上制备二维材料；

步骤2：在二维材料样品区域滴一滴异丙醇溶液，将带有方华膜的TEM铜网贴在样品区；

步骤3：待样品与方华膜贴紧后，在TEM铜网四周滴加异丙醇溶液，使方华膜TEM铜网与样品分离，即得到二维材料TEM样品。

2.根据权利要求1所述的一种基于方华膜无损转移二维材料的方法，其特征在于，步骤（1）通过化学气相沉积法或者机械剥离法在基底上制备二维材料。

3.根据权利要求1所述的一种基于方华膜无损转移二维材料的方法，其特征在于，所述溶剂A为二氯乙烷或三氯甲烷。

4.根据权利要求1所述的一种基于方华膜无损转移二维材料的方法，其特征在于，步骤（3）用刀片刮除样品四周多余的方华膜。

5.根据权利要求1所述的一种基于方华膜无损转移二维材料的方法，其特征在于，步骤（5）所述干燥为60℃烘箱干燥4h，对于二维敏感材料，应使用无水溶剂B，步骤（3）、（4）、（5）在手套箱中操作。