[发明专利]非易失型芯片的低电压报警方法、装置、存储介质和终端

说明书

本发明公开了一种非易失型芯片的低电压报警方法、装置、存储介质和终端，当检测到一个较高的电压点时使非易失型芯片退出编程和擦除操作，当检测到一个更低的电压点时，即配置寄存器和状态寄存器在电压出现不稳定甚至掉电时，只要在非易失型芯片重新上电后，从非易失型芯片内读取与非易失型芯片上一次退出操作前对应寄存器内存储的内容一致的内容，并将内容重新配置到配置寄存器和状态寄存器内，这样可以使得非易失型芯片再次执行操作时，配置寄存器和状态寄存器内的数据不会出错，保证非易失型芯片操作有效性；通过设置两个电压点的低电压检测，发生低电压报警时根据电压点的差别，分别作出不同行为，来保证非易失型芯片可靠性。

技术领域

本发明涉及Nor Flash技术领域，尤其涉及的是一种非易失型芯片的低电压报警方法、装置、存储介质和终端。

背景技术

Nor Flash芯片的编程和擦除操作所需要的时间比较长，如果此时外部电压不稳定甚至直接断电，外部的电容或者是芯片内部的电容不足以支撑整个操作流程，那么NorFlash芯片在电压不稳定的情况下需要保证存储单元数据不被干扰和丢失。

一般情况下，会通过低电压检测电路检测到低电压时，直接控制Nor Flash退出编程或者擦除操作。但是，当电压激烈抖动、在编程和擦除时瞬态电流较大的话，会导致NorFlash内部的配置寄存器和状态寄存器发生改变（发生出错），如果只是单纯退出编程和擦除操作，Nor Flash内部的配置寄存器和状态寄存器在出错的情况下会导致Nor Flash再次正常上电后执行的操作失效。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非易失型芯片的低电压报警方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有的Nor Flash在外部电压异常时只是单纯退出当前操作，容易出现因配置寄存器和状态寄存器出错导致后续操作失效的问题。

本发明的技术方案如下：一种非易失型芯片的低电压报警方法，其中，具体包括以下步骤：

在Nor Flash处于算法阶段时，实时获取执行当前操作Nor Flash内的电压；

判断当前所述电压是否等于或小于第一预设值，否则Nor Flash不退出当前操作，

是，使Nor Flash退出当前操作；

判断当前所述电压是否等于或小于第二预设值，否则不改变Nor Flash当前状态，

是，当Nor Flash重新正常上电时，获取与Nor Flash上一次退出操作前对应寄存器内存储的内容一致的内容，并将所述内容重新配置到寄存器内。

所述的非易失型芯片的低电压报警方法，其中，所述算法阶段为Nor Flash执行编程操作或者擦除操作。

所述的非易失型芯片的低电压报警方法，其中，所述第二预设值小于第一预设值。

所述的非易失型芯片的低电压报警方法，其中，所述寄存器包括配置寄存器和状态寄存器。

所述的非易失型芯片的低电压报警方法，其中，所述在Nor Flash处于算法阶段时，实时获取执行当前操作Nor Flash内的电压，具体包括以下过程：在Nor Flash处于算法阶段时，存储在寄存器内的数据同时更新存储在Nor Flash内，实时获取执行当前操作NorFlash内的电压。

所述的非易失型芯片的低电压报警方法，其中，所述获取与Nor Flash上一次退出操作前对应寄存器内存储的内容一致的内容，通过读取Nor Flash内存储的与Nor Flash上一次退出操作前对应寄存器内存储的内容一致的内容实现。

一种非易失型芯片的低电压报警装置，其中，包括：

电压获取模块，在Nor Flash处于算法阶段时，实时获取执行当前操作Nor Flash内的电压；