[发明专利]一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统

说明书

本发明公开了一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，包括半导体干法刻蚀设备和安装于半导体干法刻蚀设备上的水汽含量报警系统，水汽含量报警系统按照检测数据传输的过程依次设置有水汽检测装置、水汽检测计算机、继电器、蜂鸣器和工厂网络系统，水汽检测装置与半导体干法刻蚀设备之间连接有管道，管道上安装有手动阀，水汽检测装置由离子源、四级杆质量过滤器和检测器组成，离子源位于管道一侧，四级杆质量过滤器包括对称设置的两组挡板和位于挡板内部的四级杆。本发明设计的水汽检测装置实时监控干法刻蚀设备的腔体水汽状态，当超标时可以通知半导体工作人员及时处理生产设备，这样能够避免产品的报废，达到提升产品良率的目的。

技术领域

本发明涉及半导体干法刻蚀技术领域，具体为一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统。

背景技术

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果，半导体在生产的过程中有时也需要干法刻蚀设备进行加工处理，在6/8寸半导体干法刻蚀工艺领域，属于成熟工艺。

然而，现有的半导体干法刻蚀设备在使用的过程中存在以下的问题：(1)目前使用的半导体干法刻蚀设备在现实的工艺制程中由于设备腔体会有突发的设备腔体漏真空的现象，监控的缺陷，导致漏大气气体进入工艺腔体，其中水汽对刻蚀的产品影响最大，由于监控的缺陷会造成很多产品的报废；(2)缺乏专门用于半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量超标报警提示系统。为此，需要设计相应的技术方案解决存在的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，解决了目前使用的半导体干法刻蚀设备在现实的工艺制程中由于设备腔体会有突发的设备腔体漏真空的现象，监控的缺陷，导致漏大气气体进入工艺腔体，其中水汽对刻蚀的产品影响最大，由于监控的缺陷会造成很多产品的报废，这一技术问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，包括半导体干法刻蚀设备和安装于半导体干法刻蚀设备上的水汽含量报警系统，所述水汽含量报警系统按照检测数据传输的过程依次设置有水汽检测装置、水汽检测计算机、继电器、蜂鸣器和工厂网络系统，所述水汽检测装置与半导体干法刻蚀设备之间连接有管道，所述管道上安装有手动阀，所述水汽检测装置由离子源、四级杆质量过滤器和检测器组成，所述离子源位于管道一侧，所述四级杆质量过滤器包括对称设置的两组挡板和位于挡板内部的四级杆，两组所述挡板上均开设有槽口，所述四级杆的两端分别位于两组挡板的内侧，所述检测器的检测端正对位于后方的所述挡板，所述离子源所述水汽检测装置通过线路与水汽检测计算机相连接，所述水汽检测计算机通过线路与继电器相连接且通过无线网外接工厂网络系统，所述继电器通过线路与蜂鸣器相连接。

作为本发明的一种优选实施方式，所述管道的内端与半导体干法刻蚀设备的设备腔体相连接且外端与水汽检测装置的检测端相连接。

作为本发明的一种优选实施方式，所述水汽检测装置采用四级质谱分析仪。

作为本发明的一种优选实施方式，两组所述槽口位置相对应且之间的中心线位于四级杆的中部。

作为本发明的一种优选实施方式，所述四级杆由均匀设置的四组电极杆组成，四组所述电极杆包括两组正极杆和两组负极杆，两组所述正极杆之间连接有线路一，两组所述负极干之间连接有线路二，所述线路一和线路二通过通电线外接有电源。

作为本发明的一种优选实施方式，所述检测器采用水汽含量传感器，所述水汽含量传感器采用SIN-P300型号的水汽含量传感器。