[发明专利]可调谐的固贴式体声波谐振器在审
申请号: | 202011590206.6 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112702038A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 孙成亮;王雅馨;谢英;邹杨;龙开祥;温志伟;杨超翔 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/05;H03H9/17 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 胡甜甜 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调谐 固贴式体 声波 谐振器 | ||
1.一种可调谐的固贴式体声波谐振器,其特征在于:从下至上包括衬底、调谐结构、声反射层结构和压电振荡堆;
所述衬底为带有空腔的Si或SOI;
所述调谐结构包括第一电极,压电层和第二电极,所述调谐结构的调谐直流电压施加在第一电极和第二电极上;
所述声反射层结构包括低声阻抗层和高声阻抗层;所述声反射层为布拉格反射结构,由低声阻抗层和高声阻抗层依次交替分布;
所述压电振荡堆包括底电极层,压电层和顶电极层。
2.根据权利要求1所述的可调谐的固贴式体声波谐振器,其特征在于:所述第一电极和第二电极厚度在10-300nm之间;所述压电层厚度在500-5000nm之间。
3.根据权利要求1或2所述的可调谐的固贴式体声波谐振器,其特征在于:所述调谐直流电压施加方式为正向偏压或反向偏压,施加电压范围为0-100V。
4.根据权利要求1或2所述的可调谐的固贴式体声波谐振器,其特征在于:所述低声阻抗层为SiO2薄膜;所述高声阻抗层材料为W、Mo、AlN、SiC或Si3N4中任一种。
5.根据权利要求3所述的可调谐的固贴式体声波谐振器,其特征在于:所述低声阻抗层为SiO2薄膜;所述高声阻抗层材料为W、Mo、AlN、SiC或Si3N4中任一种。
6.根据权利要求1或2或5所述的可调谐的固贴式体声波谐振器,其特征在于:所述压电层和调谐结构层均采用PZT、AlN、ZnO或CdS压电薄膜中任一种。
7.根据权利要求1或2或5所述的可调谐的固贴式体声波谐振器,其特征在于:所述顶电极层、压电层和底电极层均采用圆形、椭圆形或多边形中任一种。
8.根据权利要求6所述的可调谐的固贴式体声波谐振器,其特征在于:所述顶电极层、压电层和底电极层均采用圆形、椭圆形或多边形中任一种。
9.根据权利要求1或2或5或8所述的可调谐的固贴式体声波谐振器,其特征在于:所述第一电极、第二电极、顶电极层及底电极层的电极均选用钨、钼、铝、金或铂中任一种金属薄膜,且压电震荡堆电极分布为上下结构或左右结构。
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