[发明专利]低压直流电路供电控制电路

权利要求书

1.一种低压直流电路供电控制电路，其特征在于：包括P型的三极管Q2、PMOS管M1、二极管D1、第一控制电路、过压检测电路以及第二控制电路；

所述三极管Q2的发射极作为供电控制电路的输入端，三极管Q2的集电极连接于二极管D1的正极，二极管D1的负极作为供电控制电路的输出端；

PMOS管M1的源极连接于三极管Q2的发射极，PMOS管M1的漏极连接于二极管D1的负极；

所述过压检测电路用于检测供电控制电路的输入电压且在输入电压过压时向第一控制电路输出控制信号；

所述第一控制电路的控制输出端与三极管Q2的基极连接，第一控制电路的控制输入端连接于过压检测电路的控制输出端；

所述第二控制电路的控制输出端连接于PMOS管M1的栅极，第二控制电路的第一检测输入端连接于三极管Q4的集电极，所述第二控制电路的第二检测输入端连接于三极管Q2的集电极，所述第二控制电路根据第一检测输入端和第二检测输入端的电压信号控制PMOS管M1的导通与关断；

所述第一控制电路包括电阻R5、电阻R6、三极管Q4、三极管Q3以及稳压管ZD4；

三极管Q3的集电极通过电阻R6与三极管Q2的发射极连接，三极管Q3的发射极接地，三极管Q3的集电极作为第一控制电路的控制输出端连接于三极管Q2的基极，三极管Q3的基极与稳压管ZD4的负极连接，稳压管ZD4的正极接地，三极管Q4的集电极通过电阻R6连接于三极管Q2的发射极，三极管Q4的集电极与三极管Q3的基极连接，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极作为第一控制电路的控制输入端连接于过压检测电路的控制输出端；

所述过压检测电路包括稳压管ZD2、稳压管ZD3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、三极管Q1以及电容C2；

稳压管ZD2的负极连接于三极管Q2的发射极，稳压管ZD2的正极通过电阻R2接地，稳压管ZD2的正极通过电阻R3连接于三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极通过电容C2接地，三极管Q1的集电极连接于三极管Q2的发射极，三极管Q1的发射极与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端作为过压检测电路的控制输出端。

2.根据权利要求1所述低压直流电路供电控制电路，其特征在于：所述第二控制电路包括稳压管ZD5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8、三极管Q9、三极管Q10以及电容C3；

所述稳压管ZD5的负极连接于三极管Q2的集电极，稳压管ZD5的正极接地，电阻R14的一端作为第二控制电路的第二检测输入端连接于稳压管ZD5的负极，电阻R14的另一端通过电容C3接地，电阻R14和电容C4之间的公共连接点连接于三极管Q9的基极，三极管Q9的集电极连接直流电VCC，三极管Q9的发射极连接于三极管Q7的发射极，三极管Q7的集电极通过电阻R8接地，三极管Q8的集电极通过电阻R7连接直流电VCC，三极管Q8的集电极与三极管Q7的基极连接，三极管Q8的发射极接地，三极管Q8的基极与电阻R12的一端连接，电阻R12的另一端作为第二控制电路的第一检测输入端连接于三极管Q4的集电极，三极管Q7的集电极通过电阻R13连接于三极管Q6的基极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的集电极连接于三极管Q5的基极，三极管Q5的发射极接地，三极管Q5的集电极通过电阻R11连接于电阻R10的一端，电阻R10的另一端连接于PMOS管M1的源极，电阻R10和电阻R11的公共连接点作为第二控制电路的控制输出端连接于PMOS管M1的栅极，三极管Q5的基极通过电阻R9连接于PMOS管M1的源极；

三极管Q10的基极连接于三极管Q8的基极，三极管Q10的发射极通过电阻R15连接于PMOS管M1的源极，三极管Q10的集电极连接于电阻R13和三极管Q7的集电极之间的公共连接点；

其中，三极管Q7和三极管Q10为P型三极管。

3.根据权利要求2所述低压直流电路供电控制电路，其特征在于：还包括电源电路，所述电源电路输出直流电VCC；

所述电源电路包括电阻R1、稳压管ZD1和电容C1；

电阻R1的一端连接于三极管Q2的发射极，电阻R1的另一端与稳压管ZD1的负极连接，稳压管ZD1的正极接地，稳压管ZD1的负极通过电容C1接地，稳压管ZD1的负极和电容C1之间的公共连接点作为电源电路的输出端输出直流电VCC。