[发明专利]应用于管式镀膜设备的生产工艺

权利要求书

1.一种应用于管式镀膜设备的生产工艺，包括提供待清洗载具，其特征在于：

所述管式镀膜设备包括传输装置、设置有清洗控制装置的管式清洗腔体以及设置有饱和控制装置的管式饱和腔体；

所述处理方法还包括：通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后，通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理，以得到清洗载具；

所述气相清洗处理结束后，通过所述传输装置将所述清洗载具输送至所述管式饱和腔体后，通过所述饱和控制装置对所述清洗载具进行饱和处理。

2.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，通过所述饱和控制装置控制所述管式饱和腔体内的温度为200-600摄氏度，压力为0.2-0.4千帕，射频功率为10-40千瓦，以及控制向所述管式饱和腔体内输送的饱和气体的流量为5-30标准升/分钟，以使所述清洗载具表面形成饱和层。

3.根据权利要求2所述的生产工艺，其特征在于，所述饱和气体包括硅烷，还包括氨气和氮氧化物中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的生产工艺，其特征在于，所述饱和气体还包括载气，所述载气为氮气、氩气和氧气中的至少一种。

5.据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述气相清洗处理包括化学气相清洗处理，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为200-600摄氏度，压力为0.1-67千帕，使用的清洗气体的流量为2-50标准升/分钟，以进行所述化学气相清洗处理。

6.根据权利要求5所述的生产工艺，其特征在于，所述清洗气体为HF、F₂、Cl₂和ClF₃中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的生产工艺，其特征在于，所述清洗气体还包括载气，所述载气为氮气、氩气和氧气中的至少一种。

8.根据权利要求5所述的生产工艺，其特征在于，所述管式清洗腔体还设置有等离子体发生装置，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度和压力，以及向所述管式清洗腔体通入的清洗气体的流量，通过所述等离子体发生装置使所述清洗气体转化为等离子体，以进行所述等离子体化学气相清洗处理。

9.根据权利要求8所述的生产工艺，其特征在于，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为300-600摄氏度，压力为0.1-0.6千帕，所述清洗气体的流量为2-50标准升/分钟，通过所述等离子体发生装置控制射频功率为10-40千瓦。

10.根据权利要求8所述的生产工艺，其特征在于，所述清洗气体包含碳元素、氮元素和氟元素中的至少两种。

11.根据权利要求10所述的生产工艺，其特征在于，所述清洗气体还包括载气，所述载气为氮气、氩气和氧气中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，通过所述管式饱和腔体进行所述气相清洗处理和所述沉积处理的任意一种。

13.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述管式镀膜设备包括设置有沉积控制装置的管式沉积腔体，通过所述沉积控制装置在所述管式沉积腔体的内基板表面形成介质膜，所述管式清洗腔体和所述管式饱和腔体中任意一种的数目至少为1，所述管式清洗腔体和所述管式饱和腔体中任意一种的数目不超过所述管式沉积腔体的数目。