[发明专利]双面发电的异质结太阳能电池、制造方法及其模组在审
申请号: | 202011590802.4 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112531043A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 杨与胜;黄巍辉;张超华;谢志刚;林振鹏 | 申请(专利权)人: | 福建金石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20;H01L31/048 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 362200 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 发电 异质结 太阳能电池 制造 方法 及其 模组 | ||
1.一种双面发电的异质结太阳能电池,其特征在于:它包括电池主体以及设于电池主体背面的背面复合栅状金属电极;所述背面复合栅状金属电极包括设于电池主体背面的金属导电层以及设于金属导电层表面的抗氧化焊接层;所述电池主体为已形成透明导电膜的异质结太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的双面发电的异质结太阳能电池,其特征在于:所述金属导电层为金属Cu、Ag、Al中的至少一种;所述抗氧化焊接层为Cu、Ag、Sn、Zn、Cr、Ti、Ni、Ni合金、ITO、WTO中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的双面发电的异质结太阳能电池,其特征在于:金属导电层厚度为100-1000nm,方阻小于0.2Ω/□;抗氧化焊接层厚度为5-100nm。
4.根据权利要求1所述的双面发电的异质结太阳能电池,其特征在于:所述背面复合栅状金属电极为多主栅图案,主栅宽度为0.05-5mm,主栅数量为8-18条;细栅宽度为0.05-0.5mm,细栅数量为150-300条。
5.根据权利要求1所述的双面发电的异质结太阳能电池,其特征在于:所述电池主体正面设有正面栅状金属电极;所述正面栅状金属电极采用低温银浆制作。
6.根据权利要求5所述的双面发电的异质结太阳能电池,其特征在于:所述正面栅状金属电极的主栅数量与背面复合栅状金属电极的主栅数量一致;所述正面栅状金属电极的主栅宽度为0.05-0.3mm;所述正面栅状金属电极的细栅宽度为0.03-0.08mm,细栅数量为50-100条。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的双面发电的异质结太阳能电池,其特征在于:所述抗氧化焊接层表面设有焊接增强层;所述焊接增强层完全覆盖背面复合栅状金属电极的主栅,或者,所述焊接增强层部分覆盖背面复合栅状金属电极的主栅。
8.根据权利要求7所述的双面发电的异质结太阳能电池,其特征在于:所述焊接增强层为锡膏或低温银浆;所述锡膏为Sn或Sn和Bi、Ag、In、Pb中至少一种的混合浆料。
9.一种权利要求1-8任意一项所述的双面发电的异质结太阳能电池的制造方法,其特征在于:
在电池主体背面依次形成金属导电层和抗氧化焊接层;
在抗氧化焊接层表面覆上油墨保护层,形成背面栅状金属电极的图形;
采用蚀刻液腐蚀油墨保护层覆盖区域外的抗氧化焊接层和金属导电层;
去除油墨保护层。
10.根据权利要求9所述的双面发电的异质结太阳能电池制造方法,其特征在于:在抗氧化焊接层表面制作焊接增强层。
11.根据权利要求10所述的双面发电的异质结太阳能电池制造方法,其特征在于:所述焊接增强层采用丝网印刷、移印、喷墨打印或点胶的方式制作。
12.根据权利要求9-10任意一项所述的双面发电的异质结太阳能电池制造方法,其特征在于:所述金属导电层和抗氧化焊接层采用溅射镀膜、热蒸发镀膜或反应等离子体镀膜方式制作。
13.根据权利要求9-10任意一项所述的双面发电的异质结太阳能电池制造方法,其特征在于:所述油墨保护层厚度为2-20um,通过100-200℃温度烘烤或UV固化;所述油墨保护层固化后耐酸或耐PH小于10的弱碱液。
14.一种带有权利要求1-8任意一项所述双面发电的异质结太阳能电池的模组,其特征在于:它包括由下往上依次设置且通过层压形成模组的背板、热熔胶层、电池组、热熔胶层和模组面板;所述电池组包括两块以上异质结太阳能电池以及连接于两块异质结太阳能电池之间的若干条焊带;所述焊带连接于异质结太阳能电池正面电极和相邻异质结太阳能电池的背面电极之间。
15.根据权利要求12所述的双面发电的异质结太阳能电池模组,其特征在于:所述焊带为圆形镀锡铜带,直径为100-400um,表面锡合金材料涂层厚度为20-100um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的