[发明专利]一种氮化镓材料的外延结构在审
| 申请号： | 202011590925.8 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112563120A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 尹宝堂;吴军;田泽;田露;黎力韬 | 申请（专利权）人： | 广西华智芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 王翠 |
| 地址： | 530000 广西壮族自治区南宁市高新区高新三*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 材料 外延 结构 | ||
1.一种氮化镓材料的外延结构，包括外延底座(1)，其特征在于：所述外延底座(1)包括衬底板(11)，衬底板(11)的上表面均匀光刻有图形结构(12)，所述图形结构(12)呈正六边形，每个所述图形结构(12)外围处成型有隔离槽(112)，所述隔离槽(112)的横向间距等于图形结构(12)的边缘垂直壁厚，所述衬底板(11)的上表面纵向贴合有电极隔离条(14)，所述衬底板(11)的上表面横向贴合有分割隔离条(15)。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓材料的外延结构，其特征在于：所述图形结构(12)的上表面开设有成型槽(13)。
3.根据权利要求2所述的一种氮化镓材料的外延结构，其特征在于：所述成型槽(13)的垂直厚度等于图形结构(12)的边缘垂直壁厚的二分之一。
4.根据权利要求3所述的一种氮化镓材料的外延结构，其特征在于：所述电极隔离条(14)的侧表面与分割隔离条(15)的侧表面相啮合。
5.根据权利要求4所述的一种氮化镓材料的外延结构，其特征在于：所述电极隔离条(14)由下至上分别一体成型有第一遮挡条(16)、第二遮挡条(17)和第三遮挡条(18)，所述第一遮挡条(16)的侧边与下表面夹角为110°-125°之间，所述第二遮挡条(17)的侧边延长线与下表面之间的夹角为100°-115°之间，所述第三遮挡条(18)的侧边为竖直状态。
6.根据权利要求5所述的一种氮化镓材料的外延结构，其特征在于：所述分割隔离条(15)由下至上分别一体成型有第一隔离条(19)、第二隔离条(110)和第三隔离条(111)，所述第一隔离条(19)、第二隔离条(110)和第三隔离条(111)的侧面边缘角度与第一遮挡条(16)、第二遮挡条(17)和第三遮挡条(18)为180°互补关系。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广西华智芯半导体科技有限公司，未经广西华智芯半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011590925.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
