[发明专利]一种碲化锑光电探测器件及其制备方法

权利要求书

1.一种碲化锑光电探测器件的制备方法，其特征在于：所述方法包括：

在衬底上蒸镀Sb₂Te₃薄膜生长的催化层；

在具有催化层的衬底上蒸镀Sb₂Te₃薄膜；

对Sb₂Te₃薄膜进行退火处理；

在完成退火处理的Sb₂Te₃薄膜上蒸镀第二有机材料层，在第二有机材料层上蒸镀第一有机材料层，形成Sb₂Te₃/第二有机材料/第一有机材料异质结，在异质结两端制备电极得到碲化锑光电探测器件或线列。

2.根据权利要求1所述碲化锑光电探测器件的制备方法，其特征在于：所述在衬底上蒸镀Sb₂Te₃薄膜生长的催化层具体为：

采用蒸发镀膜机对金属锡进行蒸镀，气压为3×10^-4～8×10^-4pa，转速为10°/s，蒸发速度为得到膜厚度为5～10nm的锡膜催化层。

3.根据权利要求1所述碲化锑光电探测器件的制备方法，其特征在于：所述蒸镀Sb₂Te₃薄膜具体为：

采用蒸发镀膜机对Sb₂Te₃材料进行蒸镀，气压为3×10^-4～8×10^-4pa，转速为10°/s，蒸发速度为

4.根据权利要求1所述碲化锑光电探测器件的制备方法，其特征在于：所述对Sb₂Te₃薄膜进行退火处理的条件为：在200～500℃中加热30min，升温速度为10℃/s。

5.根据权利要求1所述碲化锑光电探测器件的制备方法，其特征在于：所述第一有机材料为富勒烯、酞菁铜、并五苯、酞菁铅中的任意一种；第二有机材料层的有机材料为富勒烯、酞菁铜、并五苯、酞菁铅中的任意一种。

6.根据权利要求1所述碲化锑光电探测器件的制备方法，其特征在于：所述在衬底上蒸镀Sb₂Te₃薄膜生长的催化层步骤前还包括：

对衬底进行清洗：将衬底依次放入丙酮、酒精、去离子水中各自超声30min，再UV清洗30min。

7.根据权利要求1所述碲化锑光电探测器件的制备方法，其特征在于：所述衬底为氧硅片、硅片、氟晶云母、石英中的任意一种。

8.一种碲化锑光电探测器件，其特征在于：采用权利要求1-7中任意一项所述碲化锑光电探测器件的制备方法进行制备，器件由下至上依次包括：衬底、Sb₂Te₃薄膜层、第二有机材料层、第一有机材料层，形成Sb₂Te₃/第二有机材料/第一有机材料异质结，在异质结两端制备电极。