[发明专利]半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液

权利要求书

1.半导体材料的抛光方法，其特征在于，对莫氏硬度为1.5-6的半导体材料进行抛光,包括如下步骤，第一步为粗抛光，采用含有硬磨料的抛光液对半导体材料衬底片进行机械抛光，第二步为中抛光，中抛光液包括软抛光磨料、弱酸性氧化剂、有机酸、亲水性非离子表面活性剂、去离子水；第三步为精抛光，精抛光液包括弱酸性氧化剂、有机酸和去离子水。

2.如权利要求1所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，所述精抛中精抛光液按体积百分比由以下组分组成：氧化剂1-10％；有机酸0.1-5％；其余为去离子水；抛光液PH值3-5。

3.如权利要求1或2所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，精抛光采用带绒毛无磨料抛光布，抛光压力30-50g/cm2，抛光转速30-50rpm，精抛光液流量10-20ml/min；所述抛光布为带绒毛合成革无磨料抛光布。

4.如权利要求1所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，所述的中抛中抛光液按体积百分比由以下组分组成：粒径40-60nm的软抛光磨料10-30％；有机酸0.1-2％；弱酸性氧化剂1-10％；亲水性非离子表面活性剂0.1-0.5％；其余为去离子水；中抛光液PH值4-6。

5.如权利要求1或4所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，中抛中采用抛光垫进行抛光，转速40-80rpm，压力80-100g/cm2，中抛光液供给流量5-10ml/min；所述抛光垫为聚氨酯抛光垫。

6.如权利要求1所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，所述粗抛光中，所述粗抛光液按体积百分比由以下组分组成：粒径为3-8um的氧化铝磨料10-30％；亲水性非离子表面活性剂0.01-0.1％；其余为去离子水。

7.如权利要求1或6所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，粗抛中采用抛光垫进行抛光，抛光转速40-80rpm，压力60-100g/cm2，粗抛光液流量为80-100ml/min；所述抛光垫为聚氨酯抛光垫。

8.如权利要求2或4所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，所述氧化剂为次氯酸、过氧化氢、次氯酸盐、过氧乙酸、过硫酸铵、过氧化氯、二氯异氰尿酸、三氯异氰尿酸一种或两种及两种以上的混合物。

9.如权利要求2或4所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，所述有机酸为柠檬酸、酒石酸、乙酸和草酸一种或两种及两种以上的混合物。

10.如权利要求2或4所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，所述非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯脂肪酸脂、脂肪酸聚氧乙烯脂、烷基酚聚氧乙烯醚、聚乙二醇脂肪酸酯、失水山梨醇脂肪酸酯、葡萄糖、聚氧乙烯脱水山梨糖醇烷基酸酯之一或二者以上混合物。

11.如权利要求1所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，所述的半导体材料为锑化镓。

12.如权利要求1所述的半导体材料的抛光方法，其特征在于，所述软磨料为二氧化硅、氧化铈中的一种或二者复合的纳米磨料，所述硬磨料为氧化铝、金刚石、碳化硅中的一种。

13.用于锑化镓衬底抛光的抛光液，其特征在于，抛光液按体积百分比由以下组分组成：氧化剂1-10％；有机酸0.1-5％；其余为去离子水，所述的抛光液PH值3-5。

14.如权利要求13所述的用于锑化镓衬底抛光的抛光液，其特征在于，所述的有机酸为柠檬酸、酒石酸、乙酸和草酸一种或两种及两种以上的混合物，所述的氧化剂次氯酸、过氧化氢、次氯酸盐、过氧乙酸、过硫酸铵、过氧化氯、二氯异氰尿酸、三氯异氰尿酸中的一种或两种及两种以上的混合物。