[发明专利]滤波器芯片封装结构及其封装工艺在审
申请号: | 202011592301.X | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112652700A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 朱其壮;李永智;吕军;赖芳奇 | 申请(专利权)人: | 苏州科阳半导体有限公司 |
主分类号: | H01L41/047 | 分类号: | H01L41/047;H01L41/053;H01L41/23;H01L41/25;H01L41/29;H01L41/338 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215143 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤波器 芯片 封装 结构 及其 工艺 | ||
1.一种滤波器芯片封装结构,其特征在于,包括:
滤波器晶圆(1),其正面设置有功能器件(11)以及设置于所述功能器件(11)周围的多个焊垫(12);及
保护层(2),覆盖在所述滤波器晶圆(1)的正面,所述保护层(2)的朝向所述滤波器晶圆(1)的一侧设置有容置槽(21),所述容置槽(21)与所述滤波器晶圆(1)之间形成密封腔,所述功能器件(11)容置于所述密封腔内,所述保护层(2)的与所述焊垫(12)对应位置设置有通孔(22),所述通孔(22)内填充有与所述焊垫(12)电连接的导电结构(3)。
2.根据权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述滤波器晶圆(1)和所述保护层(2)之间相粘接。
3.根据权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述容置槽(21)的深度范围为:5um~30um。
4.根据权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述通孔(22)的内壁和所述导电结构(3)之间设置有金属层(5)。
5.根据权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述保护层(2)的厚度范围为:50um~300um。
6.一种滤波器芯片封装结构的封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、提供一保护层(2),所述保护层(2)的底部设置有容置槽(21);
S2、将所述保护层(2)与滤波器晶圆(1)相连,且所述容置槽(21)与所述滤波器晶圆(1)之间形成密封腔,所述滤波器晶圆(1)上的功能器件(11)容置于所述密封腔内;
S3、在所述保护层(2)的与所述滤波器晶圆(1)上的焊垫(12)对应位置设置通孔(22),所述通孔(22)内填充导电结构(3),所述导电结构(3)与所述焊垫(12)电连接,以获得滤波器结构;
S4、将所述滤波器结构进行切割,以形成单颗滤波器晶圆。
7.根据权利要求6所述的滤波器芯片封装结构的封装工艺,其特征在于,步骤S3包括以下步骤:
在所述保护层(2)的与所述滤波器晶圆(1)上的焊垫(12)对应位置设置所述通孔(22);
溅射金属层(5),然后电镀导电结构层(6),所述导电结构层(6)填充于所述通孔(22)内,并盖设在所述保护层(2)上。
8.根据权利要求7所述的滤波器芯片封装结构的封装工艺,其特征在于,步骤S3还包括:
在所述导电结构层(6)的与所述通孔(22)对应位置设置有保护光阻(7),将所述保护层(2)的未被所述保护光阻(7)覆盖的所述导电结构层(6)去除,然后再将与所述通孔(22)对应的所述保护光阻(7)去除,以获得所述导电结构(3)。
9.根据权利要求8所述的滤波器芯片封装结构的封装工艺,其特征在于,步骤S3还包括:
在所述导电结构(3)的顶面制作UBM层(8),然后在所述UBM层(8)上设置微凸点焊点(4),以获得所述滤波器结构。
10.根据权利要求6-9中任一项所述的滤波器芯片封装结构的封装工艺,其特征在于,步骤S2和步骤S3之间,还包括对所述保护层(2)的远离所述滤波器晶圆(1)的一侧进行减薄处理;
在步骤S3和步骤S4之间,还包括对所述滤波器晶圆(1)的背面进行减薄。
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