[发明专利]滤波器芯片封装结构及其封装工艺在审

专利信息
申请号: 202011592301.X 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN112652700A 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 朱其壮;李永智;吕军;赖芳奇 申请(专利权)人: 苏州科阳半导体有限公司
主分类号: H01L41/047 分类号: H01L41/047;H01L41/053;H01L41/23;H01L41/25;H01L41/29;H01L41/338
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 215143 江苏省苏州市苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 滤波器 芯片 封装 结构 及其 工艺
【权利要求书】:

1.一种滤波器芯片封装结构,其特征在于,包括:

滤波器晶圆(1),其正面设置有功能器件(11)以及设置于所述功能器件(11)周围的多个焊垫(12);及

保护层(2),覆盖在所述滤波器晶圆(1)的正面,所述保护层(2)的朝向所述滤波器晶圆(1)的一侧设置有容置槽(21),所述容置槽(21)与所述滤波器晶圆(1)之间形成密封腔,所述功能器件(11)容置于所述密封腔内,所述保护层(2)的与所述焊垫(12)对应位置设置有通孔(22),所述通孔(22)内填充有与所述焊垫(12)电连接的导电结构(3)。

2.根据权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述滤波器晶圆(1)和所述保护层(2)之间相粘接。

3.根据权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述容置槽(21)的深度范围为:5um~30um。

4.根据权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述通孔(22)的内壁和所述导电结构(3)之间设置有金属层(5)。

5.根据权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述保护层(2)的厚度范围为:50um~300um。

6.一种滤波器芯片封装结构的封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:

S1、提供一保护层(2),所述保护层(2)的底部设置有容置槽(21);

S2、将所述保护层(2)与滤波器晶圆(1)相连,且所述容置槽(21)与所述滤波器晶圆(1)之间形成密封腔,所述滤波器晶圆(1)上的功能器件(11)容置于所述密封腔内;

S3、在所述保护层(2)的与所述滤波器晶圆(1)上的焊垫(12)对应位置设置通孔(22),所述通孔(22)内填充导电结构(3),所述导电结构(3)与所述焊垫(12)电连接,以获得滤波器结构;

S4、将所述滤波器结构进行切割,以形成单颗滤波器晶圆。

7.根据权利要求6所述的滤波器芯片封装结构的封装工艺,其特征在于,步骤S3包括以下步骤:

在所述保护层(2)的与所述滤波器晶圆(1)上的焊垫(12)对应位置设置所述通孔(22);

溅射金属层(5),然后电镀导电结构层(6),所述导电结构层(6)填充于所述通孔(22)内,并盖设在所述保护层(2)上。

8.根据权利要求7所述的滤波器芯片封装结构的封装工艺,其特征在于,步骤S3还包括:

在所述导电结构层(6)的与所述通孔(22)对应位置设置有保护光阻(7),将所述保护层(2)的未被所述保护光阻(7)覆盖的所述导电结构层(6)去除,然后再将与所述通孔(22)对应的所述保护光阻(7)去除,以获得所述导电结构(3)。

9.根据权利要求8所述的滤波器芯片封装结构的封装工艺,其特征在于,步骤S3还包括:

在所述导电结构(3)的顶面制作UBM层(8),然后在所述UBM层(8)上设置微凸点焊点(4),以获得所述滤波器结构。

10.根据权利要求6-9中任一项所述的滤波器芯片封装结构的封装工艺,其特征在于,步骤S2和步骤S3之间,还包括对所述保护层(2)的远离所述滤波器晶圆(1)的一侧进行减薄处理;

在步骤S3和步骤S4之间,还包括对所述滤波器晶圆(1)的背面进行减薄。

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