[发明专利]双栅薄膜晶体管的结构及制造方法

权利要求书

1.一种双栅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有正面以及与正面相对的背面，并在衬底正面形成底栅电极层，所述底栅电极层位于所述衬底的正面部分表面上；

形成底栅绝缘介质层，所述底栅绝缘介质层覆盖在所述衬底表面以及底栅电极层的表面和侧面；

形成有源层，所述有源层覆盖在所述底栅绝缘介质层上；

形成顶栅绝缘介质层，所述顶栅绝缘介质层覆盖在所述有源层上；

在所述顶栅绝缘介质层上形成绝氧层，所述绝氧层覆盖在所述顶栅绝缘介质层的表面；以所述底栅电极层或与底栅电极层相同形状的掩膜层为掩膜，从所述衬底的背面对所述绝氧层进行曝光，形成图形化的绝氧层，所述图形化的绝氧层的图形为去除与所述底栅电极层对准以外的图形；

使用热处理工艺，将位于所述图形化的绝氧层底部的有源层进行导体化，形成源极和漏极；

形成顶栅电极层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述热处理工艺包括氧气热退火处理或氮气热退火处理。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述绝氧层的材料为氮化硅或氧化铝。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成顶栅电极层之后，还包括：形成钝化层，所述钝化层覆盖在所述图形化的绝氧层表面和顶栅电极层的表面。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，还包括：

沿所述钝化层形成贯穿的通孔，所述通孔深度至源极或漏极；

在所述通孔内生长金属材料，以形成金属互联。

6.一种双栅薄膜晶体管的结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有正面以及与正面相对的背面；

底栅电极层，位于所述正面的部分表面；

底栅绝缘介质层，覆盖在所述正面的其余部分表面以及底栅电极层的表面；

有源层，包括沟道区和沟道区两侧的源极区和漏极区，覆盖在所述底栅电极层绝缘介质层上，所述有源层中与所述底栅电极层对准的部分区域为沟道区；沟道区两侧的其余部分是源极区和漏极区；

顶栅绝缘介质层，覆盖在所述有源层上；

图形化的绝氧层，所述图形化的绝氧层上有镂空部分，所述镂空部分的形状与所述底栅电极层的形状相同；

顶栅电极层，位于所述镂空部分内或再覆盖部分所述图形化的绝氧层。

7.如权利要求6所述的双栅薄膜晶体管的结构，其特征在于，钝化层，覆盖在所述图形化的绝氧层表面和顶栅电极层的表面。

8.如权利要求7所述的双栅薄膜晶体管的结构，其特征在于，还包括金属互联层，用于连接外部电路。

9.如权利要求8所述的双栅薄膜晶体管的结构，其特征在于，所述有源层的材料为非金属氧化物，所述图形化的绝氧层为氮化硅或氧化铝。