[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011592504.9 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN113130592A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 郑雨锡;金寿桢;河载兴;金元钟;金利受;宋昌泳;杨慧仁;朱容赞 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其中,包括:
基底层;
电路元件层,位于所述基底层上;
发光元件层,位于所述电路元件层上,并与所述电路元件层电连接;以及
薄膜封装层,包括配置在所述电路元件层以及所述发光元件层上而密封所述电路元件层以及所述发光元件层的无机层,
所述薄膜封装层的所述无机层包括子无机层对,所述子无机层对包括具有第一折射率的第一子无机层以及具有与所述第一折射率不同的第二折射率的第二子无机层,
所述薄膜封装层的所述无机层包括至少7个所述子无机层对。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一子无机层包括SiNX,所述第二子无机层包括SiON。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述薄膜封装层的所述无机层还包括配置在所述子无机层对的最上部的上部子无机层。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述上部子无机层包括与所述第一子无机层相同的构成物质。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一子无机层的所述第一折射率大于所述第二子无机层的所述第二折射率。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一子无机层的所述第一折射率为1.8至2.1,所述第二子无机层的所述第二折射率为1.5至1.65。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述薄膜封装层还包括:
下部无机层,配置在所述发光元件层和所述无机层之间;以及
有机层,配置在所述下部无机层和所述无机层之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一子无机层具有第一厚度,所述第二子无机层具有第二厚度。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二子无机层的厚度依据从所述发光元件层输出的光的效率决定。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电路元件层包括至少一个晶体管,所述发光元件层与所述至少一个晶体管电连接。
11.一种显示装置,其中,包括:
基底层;
电路元件层,位于所述基底层上;
发光元件层,位于所述电路元件层上,并与所述电路元件层电连接;以及
薄膜封装层,配置在所述电路元件层以及所述发光元件层上而密封所述电路元件层以及所述发光元件层,
所述薄膜封装层包括:
第一无机层,位于所述发光元件层上;
有机层,位于所述第一无机层上;以及
第二无机层,位于所述有机层上,
所述第二无机层包括具有第一折射率的第一子无机层以及具有与所述第一折射率不同的第二折射率的第二子无机层,所述第一子无机层以及所述第二子无机层交替配置,
所述第二无机层包括至少7个所述第一子无机层以及所述第二子无机层各自。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二无机层的所述第一子无机层中的任一个层叠在所述发光元件层上。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二无机层的所述第一子无机层中的任一个配置在所述第二无机层的最上端。
14.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二无机层的所述第一子无机层的数量大于所述第二子无机层的数量。
15.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一子无机层包括SiNX,所述第二子无机层包括SiON。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的