[发明专利]一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011593091.6 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN112701023B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 郑辉;周珂;张阳;郑梁;郑鹏 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02;H01J1/304
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 陆永强
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 柔性 透明 发射 阴极 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)在柔性透明基底上沉积导电透明金膜;

(2)在沉积金膜的基底上附着AAO模板;

(3)利用真空物理沉积技术制备得spindt型金属阵列;

(4)去除AAO模板,得到场发射阴极材料。

2.根据权利要求1所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,所制备的柔性透明场发射冷阴极包括:耐高温柔性透明基底,导电透明金膜,以及沉积在导电透明金膜上的spindt型金属阵列。

3.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,基底材料采用耐高温柔性透明材料。

4.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,基底采用乙醇进行超声波清洗。

5.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,在步骤(2)中,用滴管吸取适量乙醇,滴在基底上,在乙醇完全挥发前,将AAO模板 贴附到基底上。

6.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,在步骤(3)中,沉积技术选用磁控溅射技术、脉冲激光沉积技术或电子束蒸发技术任一种。

7.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,在步骤(3)中,沉积的金属选择功函数较小的金属,其形状为spindt型。

8.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,使用胶带将AAO模板粘掉,得到柔性透明场发射冷阴极。

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