[发明专利]一种高选择性一氧化碳吸附剂及其制备方法和应用在审
申请号: | 202011593437.2 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112755956A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 白璞;黄少飞;闫文付;魏渝伟;肖志杰;许世业;李延峰 | 申请(专利权)人: | 洛阳建龙微纳新材料股份有限公司 |
主分类号: | B01J20/18 | 分类号: | B01J20/18;B01J20/30;B01D53/02 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 赵琪 |
地址: | 471900 河南省洛*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 选择性 一氧化碳 吸附剂 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种高选择性一氧化碳吸附剂,其特征在于,包括高硅分子筛和分散于所述高硅分子筛孔道中的CuCl;
所述高硅分子筛中SiO2和Al2O3物质的量的比>200;
所述高硅分子筛中平衡阳离子的含量<0.1mmol/g;
所述高硅分子筛的质量和CuCl的质量比为10:(3~8)。
2.根据权利要求1所述的高选择性一氧化碳吸附剂,其特征在于,所述高硅分子筛为具有MFI拓扑结构的高硅分子筛、具有BEA拓扑结构的高硅分子筛和具有FAU拓扑结构的高硅分子筛中的一种或多种。
3.权利要求1或2所述高选择性一氧化碳吸附剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将高硅分子筛、CuCl和第一极性有机溶剂进行第一混合,得到高硅分子筛/CuCl前驱体,所述高硅分子筛中SiO2和Al2O3物质的量的比>200,所述高硅分子筛中平衡阳离子的含量<0.1mmol/g;所述高硅分子筛的质量和CuCl的质量比为10:(3~8);
在真空或惰性气氛中,将所述高硅分子筛/CuCl前驱体进行第一煅烧,得到所述高选择性一氧化碳吸附剂;
或包括以下步骤:
将高硅分子筛、CuCl2和第二极性有机溶剂进行第二混合,得到高硅分子筛/CuCl2前驱体,所述高硅分子筛中SiO2和Al2O3物质的量的比>200,所述高硅分子筛中平衡阳离子的含量<0.1mmol/g;所述高硅分子筛的质量和CuCl2的质量比为10:(4~11);
在真空或惰性气氛中,将所述高硅分子筛/CuCl2前驱体进行第二煅烧,得到煅烧前驱体;
在还原气氛中,将所述煅烧前驱体进行还原反应,得到所述高选择性一氧化碳吸附剂。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述高硅分子筛和CuCl的总质量与第一极性有机溶剂的质量比为1:(5~10);
所述高硅分子筛和CuCl2的总质量与第二极性有机溶剂的质量比为1:(5~10)。
5.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,所述第一极性有机溶剂和第二极性有机溶剂独立的为乙醇、苯和甲苯中的一种或多种,所述乙醇、苯和甲苯的纯度>99.5%。
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述第一混合和第二混合独立的在搅拌的条件下进行,所述搅拌的速度独立的为100~200rpm,时间独立的为1~2h。
7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述第一煅烧和第二煅烧的温度独立的为350~450℃,保温时间独立的为3~8h,升温到所述煅烧温度的升温速率独立的为10~20℃/min。
8.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述还原气氛为含氢气气氛或含一氧化碳气氛,所述还原气氛中氢气或一氧化碳的体积分数为1~10%。
9.根据权利要求3或8所述的制备方法,其特征在于,所述还原反应的温度为150~300℃,时间为3~30h。
10.权利要求1或2所述的高选择性一氧化碳吸附剂或权利要求3~9任一项所述制备方法得到的高选择性一氧化碳吸附剂在一氧化碳分离与净化中应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洛阳建龙微纳新材料股份有限公司,未经洛阳建龙微纳新材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011593437.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。