[发明专利]一种电压传感器、芯片和电子设备

权利要求书

1.一种电压传感器，包括：第一电压产生电路、第二电压产生电路和模数转换电路ADC；其中，

第一电压产生电路设置为：产生稳定的第一电压差，根据产生的第一电压差输出第一差分参考电压；

第二电压产生电路设置为：产生两路第二电压差，构成第二差分参考电压；

ADC与第一电压产生电路和第二电压产生电路连接，设置为：

接收待检测的输入电压，根据第一差分参考电压和第二差分参考电压计算输入电压的电压信息；

所述ADC包括算术运算单元、积分单元和量化单元；其中，

所述算术运算单元设置为：接入所述输入电压；对所述第二差分参考电压进行增益放大；根据量化单元提供的控制信号，控制输出用于电压计算的所述第一差分参考电压和所述增益放大后第二差分参考电压；对输入电压、控制输出的所述用于电压计算的所述第一差分参考电压和增益放大后第二差分参考电压进行累加运算，获得累加运算结果；

积分单元设置为：对预设时长内获得的所述累加运算结果，按照预设的积分运算规则进行运算，获得积分运算结果；

量化单元设置为：将所述积分运算结果与预设的积分比较值进行比较，根据比较结果生成所述控制信号；根据所述积分运算结果生成所述电压信息；

所述第二电压产生电路包括：时钟驱动单元、第一控制开关、第二控制开关、提供M支电流大小均为第二电流的第二电流源、第二晶体管和第三晶体管；其中：

所述时钟驱动单元设置为：根据预设的时钟参考信号产生第一时钟驱动控制信号和第二时钟驱动控制信号；

所述第一控制开关设置为：在第一时钟驱动控制信号的控制下，在第一时间段内控制M支电流中的P支第二电流流入所述第二晶体管中，其余M-P支第二电流进入所述第三晶体管中；在第二时间段内控制M支电流中的P支第二电流流入所述第三晶体管中，其余M-P支第二电流进入所述第二晶体管中；

所述第二控制开关设置为：在第二时钟驱动控制信号的控制下，在第一时间段内控制第二晶体管的基极-发射极结电压VBE0作为第二差分参考电压负端输出端的输出电压dvben，第三晶体管的基极-发射极结电压VBE1作为第二差分参考电压正端输出端的输出电压dvbep，在第二时间段内控制第三晶体管的基极-发射极结电压VBE1作为第二差分参考电压负端输出端的输出电压dvben，第二晶体管的基极-发射极结电压VBE0作为第二差分参考电压正端输出端的输出电压dvbep；其中，M2，P≥1，M-PP；

所述第一时间段和所述第二时间段交替出现。

2.根据权利要求1所述的电压传感器其特征在于，所述电压传感器还包括电压缓冲单元，所述电压缓冲单元接入待检测的输入电压，输出端连接所述模数转换电路的输入端，设置为：

将所述输入电压增益处理为所述ADC工作范围内的电压信号。

3.根据权利要求1所述的电压传感器，其特征在于，所述第一电压产生电路包括：产生第一电流的第一电流源和第一晶体管；其中，

所述第一电流源与所述第一晶体管的发射极连接，基极与集电极相连并接地，发射极和集电极分别连接第一输出节点和第二输出节点；所述第一电流流经所述第一晶体管，在所述第一晶体管的基极和发射极产生所述第一电压差，所述第一输出节点和所述第二输出节点输出所述第一差分参考电压；或，

所述第一电流源与所述第一晶体管的基极与集电极相连，发射极接地，集电极和发射极分别连接第一输出节点和第二输出节点；所述第一电流流经所述第一晶体管，在所述第一晶体管的发射极和基极产生所述第一电压差，所述第一输出节点和所述第二输出节点输出所述第一差分参考电压。