[发明专利]一种高抗性大豆的育种方法在审

专利信息
申请号: 202011594646.9 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN112715348A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 卫玲;肖俊红;乔羽佳;刘博;杨海峰;段学艳 申请(专利权)人: 山西省农业科学院小麦研究所
主分类号: A01H1/02 分类号: A01H1/02;A01H1/04;A01C1/08
代理公司: 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 代理人: 吴倩
地址: 041000 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 抗性 大豆 育种 方法
【权利要求书】:

1.一种高抗性大豆的育种方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、选择育种主干亲本和抗源亲本:选择当地主要栽培的农艺和产量性状优良但抗性不足的大豆品种作为育种主干亲本,选择大豆种质资源库中经抗性鉴定表现为高抗的大豆品种作为抗源亲本;

S2、杂交:正季种植大豆育种主干亲本和抗源亲本进行杂交得到F1代;

S3、将F1代与其抗源亲本回交,得到F2代,并在F2代筛选出优势组合种子;

S4、将S3中筛选出的种子用紫外线照射20~40分钟进行灭菌,然后用高锰酸钾溶液浸泡10~30分钟,放入6-8%的盐水中浸泡2~5h,盐水和种子比例为3:1,用水清洗后在26~32℃条件下催芽;

S5、取S4中胚根长0.7~1.4cm的萌发种子,损伤胚根,在浓度为6~8×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡20-50min;

S6、取S5中接种病菌后的种子,1~3周后连续20天调查,淘汰发病株,未发病株自交留种,从而获得稳定的高抗性大豆。

2.如权利要求1所述的一种高抗性大豆的育种方法,其特征在于,在S4中,将S3中筛选出的种子用紫外线照射25~35分钟进行灭菌,然后用高锰酸钾溶液浸泡15~25分钟,放入6-8%的盐水中浸泡3~4h,盐水和种子比例为3:1,用水清洗后在28~30℃条件下催芽。

3.如权利要求2所述的一种高抗性大豆的育种方法,其特征在于,在S4中,将S3中筛选出的种子用紫外线照射30分钟进行灭菌,然后用高锰酸钾溶液浸泡20分钟,放入6-8%的盐水中浸泡3.5h,盐水和种子比例为3:1,用水清洗后在29℃条件下催芽。

4.如权利要求1所述的一种高抗性大豆的育种方法,其特征在于,在S5中,取S4中胚根长0.8~1.0cm的萌发种子,损伤胚根,在浓度为6~8×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡30-40min。

5.如权利要求4所述的一种高抗性大豆的育种方法,其特征在于,在S5中,取S4中胚根长0.9cm的萌发种子,损伤胚根,在浓度为7×106个孢子/ml的枯萎病病菌液中浸泡35min。

6.如权利要求5所述的一种高抗性大豆的育种方法,其特征在于,在S6中,取S5中接种病菌后的种子,2周后连续20天调查,淘汰发病株,未发病株自交留种,从而获得稳定的高抗性大豆。

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